《材料物理性能实验》中导电性与介电性相结合的创新性综合实验设计.docVIP

是指保证正确服务的概率; 可靠性是指在给定的时 间内提供准确的服务; 高性能是指对响应时间和吞吐量的控制 [6]。 参考文献 [1]Jiawei Han,Micheline Kambr.Data Mining Concepts and Tech-niques.Higher Education Press,2001. [2]Cloud computing , /wiki/Cloud_comput-ing.8. [3]李德毅 . 第二届中国云计算大会 [EB/OL]. [2010-06-30].http: ///2010. [4]周晏, 桑书娟 . 浅谈基于云计算的数据挖掘技术 [J ]. 电脑知识与 技术, 2010, 6(34:9681-9683. [5]TALIA D , TRUNFIL P.How distributed data mining tasks can thrive as knowledge services [J ].Communications of The ACM , 2010, 53(7:132-137. [6]何 清 . 基 于 云 计 算 的 海 量 数 据 挖 掘 [EB/OL].(2010-05-26[2011-01-03]./news/JSQY/2010/526/1052617494366_3.html. (上接第 173页 1. 引言 《材料物理性能》 是材料科学与工程专业的基础必修课程之一, 材 料物理性能的测试、 表征及其评价是研究与应用材料的一个重要组成 部分, 如何获取材料的内部信息、 阐明材料的某些独特性质、 充分发挥 材料的使用性能是教学实践环节中最为基础和最为重要的部分。一方 面, 在电子信息技术高速发展和全面普及的今天, 材料电学性能 (分为 导电性能和介电性能 实验毫无疑问构成了该课程实践教学环节中的 核心内容。另一方面, 培养全面发展的创新性综合型人才是当今时代 赋予高等教育的神圣使命。在这种新形势下如何提高材料电学性能的 实践教学环节成为培养学生实践动手能力和综合素质开发的关键。据 作者所知, 目前出版的相关书籍中和教改论文方面还没有涉及到导电 性和介电性相结合的综合性材料物理性能实验, 作者在 《材料物理性 能 》 课程中作了探索性尝试。 2. 实验设计 材料的导电性与介电性既有区别又相互联系。如何把两者结合到 一个实验中需要充分考虑材料的综合性能和器件结构优化设计, 基于 此我们提出以薄膜晶体管来设计材料的导电性和介电性相结合的综合 性实验。薄膜是 21世纪材料领域的主题曲, 因此选择薄膜晶体管也符 合时代发展的需求, 薄膜晶体管的基本工作原理是通过调控栅压 (V G 来控制源 (S 漏 (D 之间载流子输运特性, 根据不同的应用场合达到控 制、 驱动和信号转移等多种功能特性, 因此薄膜晶体管融合了材料导电 性和介电性的内在本质。具体的实验设计步骤如下: (1 器件结构优化设计 基本设计思路是通过改变电场的作用方式在界面附近形成累积 /耗尽, 使有源层内部的载流子输运特性发生变化从而使材料表现出导 电性或介电性。典型的薄膜晶体管结构如图 1所示。 图 1薄膜晶体管的结构示意图 (2 有源层的选择与制备 有源层是决定薄膜晶体管性能的关键部分, 大致可以分为无机类 半导体 (如 Si 、 ZnO 、 InSb 、 类金刚石等 和有机类半导体如 CuPc 、 Penta-cene 等。制备技术根据具体的材料可以选择磁控溅射、 化学气相沉积 或旋涂法等常见镀膜工艺, 其厚度依据具体的性能需求可以设计成几 十纳米到几百个纳米之间。 (3 机理分析 以 ZnO 薄膜晶体管为例, 当 V G =0时, 由于有源层是一个介电体, SD 之间的载流子浓度非常低, 此时处于典型的介电状态 (不导电状态, 亦 称为关态 。当然此时也会有极微弱的电流通过 (通常称为漏电流、 暗 电流或关态电流 。将源极 S 接地, 并且假定电极为欧姆接触, 考虑 V G 0的情形。 V G 0使栅 /绝缘层界面感应出正电荷, 在 ZnO 有源层 /绝缘层 界面感应出等量负电荷。此时若 V D =0, 沟道内负电荷密度统一; 若 V G V D 0, SD 之间的电流随 V G 线性变化 (导通 , 亦称为线性区; 若 V D VG , SD 之间的电流达到饱和, 亦称为饱和区, 表现出典型的导电特性, 对应 的电流称为开态电流。很明显, V G 的大小对 SD 之间的载流子分布及其 输运特性起着调控作用。 (4 实验数据记录与分析 V S =0V, V G =0~45V(间隔为 15V 的电压观察 SD 之间的电流 -电压 (I-V 特性曲线, 画出由上述曲线组成的薄膜晶体管输出特性曲线, 其 典型的实