模拟集成电路课程设计（2020年整理）.pptxVIP

学 海 无 涯 模拟集成电路课程设计 CMOS 两级运放设计 一、摘要 本课程设计要求完成一个两级运放的设计，采用设计工艺为 CMOS 的 0.35um 工艺技术， 该工艺下器件可以等效为长沟道器件，在分析计算时可采用一级模型进行计算。本次设计主 要了对于共模输入电压等指标提出了要求，详见下表。在正文中将就如何满足这些指标进行 分析与讨论，并将计算结果利用 cadence 进行仿真，得出在 0.35um 工艺电路的工作情况。;学 海 无 涯 三、设计指标 本模块将根据设计要求的指标逐一进行分析： 开环直流增益：考虑直流增益时忽略所有电容的影响，画小信号图如下：;学 海 无 涯 ;学 海 无 涯 为放电过程中 M6 有大的过驱动电压可以实现快速充电。放电时，对应的为一个大的负输入 阶跃信号的情况，由于IDS7受偏置电流及相互间的宽长比控制，可视为恒定值，同时IDS5也 需要占用一部分，所以能够提供给CL的电流大小为IDS7 ? IDS5，所以对于外部节点的转换速 率大小为：;学 海 无 涯 ;学 海 无 涯 的选择从一定程度上影响了电路最后的面积，同时对于 1/f 噪声等也一会造成影响， 所以是否可以考虑分开划分 MOS 管的沟道长度。不过对于本设计有一定的难度， 因为 M6 与 M3，M4 要做到匹配，同时 M7 也最好能够与 M5，M8 做到匹配，所以