第10章 半导体磁敏传感器 教学提纲.pptVIP

工程测试技术 第10章 半导体磁敏传感器 本章学习要求： 1.掌握传感器工作原理——霍尔效应、磁阻效应 2.掌握测量误差及补偿方法（霍尔元件） 3.了解传感器的应用——霍尔位移传感器 磁敏传感器 磁场 电能 测量原理：半导体材料中的自由电子及空穴 随磁场改变其运动方向。 结构 结型 体型 霍尔传感器 磁敏电阻 —— 磁敏二极管 磁敏三极管 —— 10.1 霍尔元件 1. 霍尔效应与霍尔元件 霍尔效应：置于磁场中的通电半导体，在垂直于磁场和 电场的方向产生电动势的现象。 10.1 霍尔元件 1. 霍尔效应与霍尔元件 霍尔系数 霍尔效应 10.1 霍尔元件 1. 霍尔效应与霍尔元件 10.1 霍尔元件 1. 霍尔效应与霍尔元件 10.1 霍尔元件 1. 霍尔效应与霍尔元件 基本测量电路 10.1 霍尔元件 1. 霍尔效应与霍尔元件 1. 霍尔效应与霍尔元件 控制电流端并联 输出电势为：2倍 E + + + + + + + + + + ----- ----- 直流供电方式： 控制电流端串联 次级绕阻叠加输出 ~ 交流供电方式： 四端器件 输出电势：mV量级 线性应用：比例放大器 线性度好、低噪声放大器 开关应用：射极跟随器 灵敏度高：一般放大器 1. 霍尔效应与霍尔元件 2. 主要特性参数 （1）额定激励电流 IH —— 霍尔元件温升10 ℃时所加的电流 焦尔热 散热 —— 表面散热系数 （2）不平衡电势U0 不等位电势、零位电势 ——IH、B=0、空载霍尔电势 原因：两个霍尔电极不在同一等位面上 材料不均匀、工艺不良 2. 主要特性参数 （3）输入电阻Ri 、输出电阻R0 Ri —— 控制电流电极间的电阻 R0 —— 输出霍尔电势电极间的电阻 B = 0 欧姆表 （4）霍尔电压 VH 0.1 0.2 0.3 0.4 250 200 150 100 50 0 0.1 0.2 0.3 0.4 250 200 150 100 50 0 （5）霍尔电压的温度特性 负温度特性 主要技术指标 3. 测量误差及其补偿 半导体固有特性 半导体制造工艺缺陷 零位误差 温度误差 不等位 电势 的 补偿 电路 （a） （b） （c） 不 对 称 对 称 3. 测量误差及其补偿 10.1 霍尔元件 4. 霍尔集成传感器 霍尔效应 集成电路技术 开关信号 磁敏传感器 4. 霍尔集成传感器 稳压 材料：硅 工艺：硅平面工艺 N型硅外延层很薄 集成工艺 工作原理： 有磁场：VH，放大，整形： 开启阈值，高电平 VT导通，具有吸收电流的负载能力 磁场减弱：VH 减小，放大，整形： 关闭阈值， 翻转，低电平，VT截止 开状态 关状态 5. 霍尔传感器的应用 5. 霍尔传感器的应用 磁场梯度越大，灵敏度越高 磁场梯度越均匀，输出线性越好 测量范围：1 ~ 2 mm 5. 霍尔传感器的应用 测转角： 5. 霍尔传感器的应用 转速测量 永磁体安装在轴端 永磁体安装在轴侧 5. 霍尔传感器的应用 案例：汽车速度测量: 10.2 磁阻元件 1. 磁阻效应与磁阻元件 10.2 磁阻元件 1. 磁阻效应与磁阻元件 10.2 磁阻元件 10.2 磁阻元件 2. 磁敏电阻结构与特性