第二章 门电路资料教程.pptVIP

四、其它类型的TTL门电路 其它逻辑功能的门电路 输入端、输出端电路结构与反相器基本相同。 与非门、或非门、与或非门、异或门等 集电极开路的门电路（OC门） 三态输出门电路（TS门） 四、其它类型的TTL门电路 多发射极三极管 四、其它类型的TTL门电路 TTL与非门 返回 四、其它类型的TTL门电路 与非门IIL的大小和门输入端并联的数目无关。如vI=VIL=0.3V，vBE=0.7V，则vB1=1V，IR1=(VCC-vBE)/R1=1.43(mA)。若VIL和一个输入端并联，则IIL=IR1;若和两个或两个以上输入端并联，则流过T1各发射极的电流总和也只有IR=IIL。 IIH为一个发射极反偏时的漏电流。与非门的入端有多个输入端并联在一起，则入端加高电平时流入门的总的漏电流应为这多个输入端漏电流的总和，有几个入端并联，IIH就应扩大几倍。 【例2.2】 TTL与非门接成如图所示。已知门电路参数 IOH/IOL=1.0mA/-20mA IIH/IIL=50μA/-1.43mA 试求门P的扇数系数N。 四、其它类型的TTL门电路 TTL或非门 T2、 并联 或非门有几个入端并联， IIL 和IIH都应扩大几倍。 返回 四、其它类型的TTL门电路 TTL与或非门 返回 四、其它类型的TTL门电路 TTL异或门 返回 第二章 门电路 本章重点 半导体二极管和三极管（包括双极型和MOS型）开关状态下的等效电路和外特性 TTL电路的外特性及其应用（难点） CMOS电路的外特性及应用 §2.1 概述 在工程中每一个逻辑符号都对应着一种电路，并通过集成工艺作成一种集成器件，称为集成逻辑门电路，逻辑符号仅是这些集成逻辑门电路的“黑匣子”。 什么是门电路？ 实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。 有一定范围 §2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 一、二极管的开关特性 二极管开关电路 一、二极管的开关特性 二极管的动态开关特性 tre 反向恢复过程——二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程。 原因是电荷存储效应。 二、双极型三极管的开关特性 输入特性 输出特性 二、双极型三极管的开关特性 三极管的基本开关电路 三极管的开和关状态转换即在截止区和饱和区间来回切换，且 受vI控制。 vIVON时，三极管截止， vO=VOH≈VCC。 vIVON后，三极管进入 放大区，直至进入饱和区， vO=VOL ≈0。此时iB≥IBS。 二、双极型三极管的开关特性 开关等效电路和动态开关特性 三、MOS管的开关特性 结构和符号（N沟道增强型） vGSVGS(th)且vDS0时，才会有导电沟道形成，故称为N沟道增强型。 （漏） （栅） （源） 开启（阈值）电压 三、MOS管的开关特性 共源接法输出特性曲线 截止区 可变电阻区 恒流区 三、MOS管的开关特性 MOS管基本开关电路 vIVGS(th)时，MOS管截止，vO=VOH≈VDD。 vIVGS(th)后，MOS管进入恒流区，直至进入可变电阻区，vO=VOL ≈0。 MOS管的开和关状态转换即在截止区和可变电阻区间来回切换，且受vGS控制。 三、MOS管的开关特性 MOS管开关等效电路 §2.3 最简单的与、或、非门电路 一、二极管与门 存在问题：①电平偏移； ②高电平受负载影响 不直接使用。 二、二极管或门 存在问题：电平偏移 不直接使用。 三、二极管非门 二极管与门和或门电路的缺点 (1) 在多个门串接使用时，会出现低电平偏离标准数值的情况。 (2) 负载能力差 §2.4 TTL门电路 IC分类： SSI（小） MSI（中） LSI（大） VLSI（超大） ULSI（特大） GLSI（巨大） 一、TTL反相器的结构和工作原理 最基本的TTL门电路，其它TTL门电路以其为基础。 TTL：Transistor-Transistor Logic 常用：74系列 按规模 按制造工艺 单极型 双极型 一、TTL反相器的结构和工作原理 电路结构： 设vbe=0.7V，VCE(sat)=0.1V。 若A为低电平，vB1=0.9V，T1深饱和。vC1=0.3V，T2、T5截止，vC2高电平，使T4、D2通，vO=3.6V，为高电平。 若A为高电平， vB1=2.1V,T1倒置放大，T2、T5饱和，vC2≈0.8V，不足以使T4、D2同时通，故vO=0.1V，为低电平。 vC1 输入级 保护 电平 移