化学气相沉积（CVD）技术及应用.pptVIP

化学气相沉积（CVD）技术及应用 概 要 CVD的基本原理 CVD技术的分类 CVD技术的应用 一. CVD的基本原理 Chemical Vapor Deposition: 由气态原料通过在高温空间或活性化空间发生化学反应,生成固体薄膜的沉积过程。 田民波.薄膜技术与薄膜材料[M].北京：清华大学出版社，2006年,543-594 CVD技术的优点 可制备致密、高纯度材料 沉积速率高，再现性好，结合力强 可在复杂表面连续成膜 可控制膜的晶体结构和表面形貌 成膜材料广 CVD技术的缺点 有毒、腐蚀性及易燃易爆性气体的使用 使用多元前驱物时，难以准确控制膜的组成 真空设备成本高 二. CVD技术的分类 常压CVD 低压CVD 热 CVD 等离子体CVD 光 CVD 金属CVD等 其他类型 t 提高均匀性 和效率 降低 减小膜层损伤 实现平坦化 开发新材料 反应温度 热CVD 常压CVD 初始技术 低压CVD 提高膜厚均匀性，提高生产效率，是当前工业应用的主要形式。 热CVD装置系统图 基板进出 MFC MFC MFC 纯化 纯化 T2 T1 真空泵 反应室 基板 （硅圆片） 加热器 排气 处理装置 废气排放 （或储存） 气 瓶 气 瓶 气 瓶 液体气源 吹泡器 载带 气体 源 气体 置换 气体 热CVD法成膜原理 原料气体 排气 基板 表面反应 沉积 吸附 抽取 脱离 热分解 化学反应 二次生成物 未反应气体 基板加热（辐射，热传导，感应加热等） 成膜过程: 1.反应气体被基体表面吸附; 2.反应气体向基体表面扩散; 3.在基体表面发生反应; 4.气体副产品通过基体表面 扩散而脱离表面. 热CVD的优、缺点 成膜材料广，速度快 镀膜绕射性好，可处理形状复杂工件 镀膜附着力强 可获得平滑表面 反应温度高（≈1000℃），部分基体材料经不住高温，用途受限。 K.L. Choy,Prog. Mater Sci 48 (2003) 57-170 等离子体CVD 进一步降低反应温度，减少热损伤 相比于热CVD的优势： 在更低温度下成膜，扩大了应用范围 热过程难以成膜的慢反应，也可以成膜 热解温度不同的物质，可按不同组成比例合成 光CVD 仅直接激发分解所必需的内部自由度，赋予其激活能 低温下无损伤制备薄膜 光的聚焦及扫描可直接描绘细线或刻蚀 三. CVD技术的应用 切削工具 半导体 其他 CVD的应用－切削工具 “刀具革命”，使用寿命延长2~10倍，切削速度提高20~100% TiN抗粘附能力强，是使用最广泛的刀具涂层 复合涂层：如TiC-TiN、 TiC-Al2O3等，改善结合强度、韧性和耐磨性，提高使用性能 CVD的应用－切削工具 类金刚石薄膜： 理想的刀具材料，国内外研究热点，已经有相关产品。 胡如夫, 孙方宏，制造工艺与制造技术 ，1 （2007）74-76 CVD的应用－半导体 LSI（large scale integrated circuit） 大规模集成电路 多层布线的层间绝缘膜，金属布线，电阻及散热材料等 Y. Akasaka, Thin Solid Films, in press CVD的应用－半导体 低介电常数薄膜—布线间绝缘用的SiO2系薄膜(F的加入) 微小电容器—铁电体的CVD，良好的台阶涂敷，适合微细加工，保证高介电常数 高容量电容—半球形晶粒多晶Si-CVD 对高密度LSI的超微细孔（连接孔或通孔）进行处理—金属CVD，膜层纯度高，深孔埋入和孔底涂敷效果好 高纯度单晶—有机金属CVD CVD的应用－半导体 CVD的其他应用 TFT（thin film transistor,薄膜晶体管） 大面积且性能一致的低成本薄膜 PCVD温度低，适合连续化生产 S.M. Han, J.H. Park, S.G. Park et al.,Thin Solid Films,? 515 (2007) 7442-7445 模 具 材料成型会产生高机械应力和物理应力 TiC和TiN涂层硬度高，耐磨，有弹性，有一定润滑能力，与基体结合力好，可大幅度提高模具寿命 如：Cr12MoV钢模具CVD涂覆TiN后寿命提高20倍 王豫，水恒勇，热处理，16 （2001）1-4