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材料化学晶体结构缺陷 固溶体在组成和结构两方面对材料的结构敏感性起作用，如强度、磁性能、电性能、光性能等。 （一） 卫格定律和雷特格定律 卫格定律：固溶体晶胞参数是组元浓度的加和。 ass＝a1c1＋a2c2 雷特格定律：固溶体体积是组元体积的加和。 （ass）3＝a13c1＋a23c2 实际应用：当两种同晶型的盐(如KCl-KBr)形成连续固溶体时，固溶体的晶胞参数与成分成直线关系 材料化学晶体结构缺陷 材料化学晶体结构缺陷 刃型位错的攀移 (a)正攀移 (b)原始位置 (c)负攀移 攀移的实质是多余半原子面的伸长或缩短。螺位错没有多余半原子面，故无攀移运动。 材料化学晶体结构缺陷 面缺陷（surface defects）是将材料分成若干区域的边界，如晶面、晶界、界面、等。 一、晶面 二、晶界（位错界面） （一）、小角度晶界（small angle grain　boundary） （二）、大角度晶界 材料化学晶体结构缺陷 1 晶面 材料化学晶体结构缺陷 2 晶界 材料化学晶体结构缺陷 （1 ）小角度晶界 小角度晶界 材料化学晶体结构缺陷  每个相邻晶粒的位向不同，由晶界把各晶粒分开。 晶界是原子排列异常的狭窄区域，一般仅几个原子间距。晶界处某些原子过于密集的区域为压应力，原子过于松散的区域为拉应力区。θ ＞ θ0  与小角度晶界相比，大角度晶界能较高，大致在0.5～0.6J/m2，与相邻晶粒取向无关。 材料化学晶体结构缺陷 材料化学晶体结构缺陷 基本概念： 刃型位错、螺型位错、滑移、攀移、晶界、大角度晶界、小角度晶界 刃型位错和螺型位错的特征。 柏氏矢量的确定。 理解刃型位错和螺型位错滑移的特点。 单位长度位错的应变能表示 U=Gb2。 小 结 定义——凡在固体条件下，一种组分（溶剂）内 “溶解”了其 它组分（溶质）而形成的单一、均匀的晶态固体称为固溶体。 形成条件：结构类型相同， 化学性质相似， 置换质点大小相近。 2.4 固溶体 几个概念区别—固溶体、化合物、混合物 例如： Al2O3晶体中溶入0.5~2Wt%的Cr3+后，由刚玉转变为有激光性能的红宝石； PbTiO3和PbZrO3固溶生成锆钛酸铅压电陶瓷，广泛应用于电子、无损检测、医疗等技术领域。 Si3N4和Al2O3之间形成sialon固溶体应用于高温结构材料等。沙隆陶瓷性质特点： 高温强度大，低温强度小 1、固溶体的分类 (1) 按溶质(杂质）原子在溶剂（基质）晶格中的位置划分： 间隙型固溶体、置换型固溶体 特点：形成间隙型固溶体体积基本不变或略有膨胀； 形成置换型固溶体后体积应比基质大。 (2)按溶质(杂质）原子在溶剂（基质）晶体中置换能力不同分类： 完全互溶固溶体、 部分互溶固溶体 特点：对于部分互溶固溶体，溶质在有限范围内 溶解度随温度升高而增加。 (3) 置换型固溶体组分缺陷 不等价置换过程中，为保持电中性，出现填隙固溶体和缺位固溶体。 完全互溶固溶体 部分互溶固溶体 2. 形成置换固溶体的条件和影响置换能力因素 （完全互溶与部分互溶固溶体）: (1) 离 子 大 小 (2) 晶体的结构类型 (3) 离 子 电 价 (4) 电 负 性 材料化学晶体结构缺陷 (1)离子大小 相互取代的离子尺寸越接近，就越容易 形成固溶体；原子半径相差越大，溶解度越小。 15% 形成完全固溶体 15％～30％ 形成部分互溶固溶体 30% 不能形成固溶体 (2) 晶体的结构类型 形成完全互溶固溶体，两个组分应具有相同的晶体结构或化学式类似。 MgO和NiO、Al2O3和Cr2O3、 Mg2SiO4和Fe2SiO4、 PbZrO3和PbTiO3的Zr4+(0.072nm)与Ti4+(0.061nm),比值 ： 在石榴子石Ca3Al2(SiO4)3和Ca3Fe2(SiO4)3中，均为孤岛状结构，Fe3+和Al3+能形成连续置换，因为它们的晶胞比氧化物大八倍，结构的宽容性提高。 Fe2O3和Al2O3(0.0645nm和0.0535nm),比值 ： 虽然结构同为刚玉型，但它们只能形成部分互溶固溶体； 高温立方相稳定，所以