精华 半导体与PN结解析.ppt

§ 2.3.3 载流子的产生 -- 吸收深度 蓝光在离表面非常近处 就被吸收而大部分的红光则在 器件的深处才被吸收。 动画显示了红光与蓝光的 吸收深度的不同。 下图显示了几种半导体的吸收深度： 2018/10/21 32 § 2.3.3 载流子的产生 -- 吸收深度 § 2.3.4 载流子的产生 -- 生成率 生成率 是指被光线照射的半导体每一点生成电子的 数目。忽略反射，半导体材料吸收光线的多少决定于吸收 系数（ α 单位为 cm -1 ）和半导体的厚度。半导体中每一点 中光的强度可以通过以下的方程计算： I=I 0 e - α x 式中 α 为材料的吸收系数，单位通常为 cm -1 ， x 为光入 射到材料的深度， I 0 为光在材料表面的功率强度。 该方程可以用来计算太阳能电池中产生的电子空穴对 的数目 。 2018/10/21 UNSW 新南威尔士大学 33 假设减少的那部分光线能量全部用来产生电子空穴 对，那么通过测量透射过电池的光线强度便可以算出半导 体材料生成的电子空穴对的数目。因此，对上面的方程进 行微分将得到半导体中任何一点的生成率。即 G= α N 0 e - α x 其中 N 0 为表面的光子通量（光子 / 单位面积 . 秒） α 为吸收系数， x 为进入材料的距离。 方程显示，光的强度随着在材料中深度的增加呈指数 下降，即材料表面的生成率是最高的。 2018/10/21 34 § 2.3.4 载流子的产生 -- 生成率 § 2.3.4 载流子的产生 -- 生成率 进入硅的深度 电 子 空 穴 对 的 生 成 率 对于光伏应用来说 ，入射光是由一系列不同波长 的光组成的，因此不同波长光的生成率也是不同的。下 图显示三种不同波长的光在硅材料中的生成率。 计算一系列不同波长的光的生成率时，净的生成率等于每种波 长的总和。下图显示入射到硅片的光为标准太阳光谱时，不同 深度的生成率大小。 Y 轴的范围大小是成对数的 ，显示着在电 池表面产生了数量巨大的电子空穴对，而在电池的更深处，生 成率几乎是常数。 2018/10/21 36 § 2.3.4 载流子的产生 -- 生成率 § 2.4.1 复合理论 -- 复合的类型 所有处在导带中的电子都是亚稳定状态的，并最终会 回到价带中更低的能量状态。它必须移回到一个空的价带 能级中，所以，当电子回到价带的同时也有效地消除了一 个空穴。这种过程叫做复合。在单晶半导体材料中，复合 过程大致可以分为三种： ? 辐射复合 ? 俄歇复合 ? 肖克莱 - 雷德 - 霍尔复合 这些复合在右边的动画中都有 描述。 2018/10/21 辐射复合 辐射复合是 LED 灯和激光这类的半导体器件的主要复合机 制。然而，对于由硅制成的陆地用太阳能电池来说，辐射复合 并不是主要的，因为硅的禁带并不是直接禁带，它使得电子不 能直接从价带跃迁到导带。辐射复合的几个主要特征是： 1 ）在辐射复合中，电子与空穴直接在导带结合并释放一个 光子。 2 ）释放的光子的能量近似于禁带宽度，所以吸收率很低， 大部分能够飞出半导体。 2018/10/21 UNSW 新南威尔士大学 38 § 2.4.1 复合理论 -- 复合的类型 通过复合中心的复合 通过复合中心的辐射也被叫做肖克莱 - 莱德 - 霍尔或 SRH 复合，它不会发生在完全纯净的、没有缺陷的材料中。 SRH 复合过程分为两步： 1 ）一个电子（或空穴）被由晶格中的缺陷产生的禁带中的 一个能级所俘获。这些缺陷要么是无意中引入的要么是故意 加入 到材料当中去的，比如往材料中掺杂。 § 2.4.1 复合理论 -- 复合的类型