蓝宝石LED衬底工艺流程课件.pptVIP

LED 蓝宝石基板介绍 1: 蓝宝石详细介绍 蓝宝石的组成为氧化铝 (Al2O3) ，是由三个氧原子和两个铝原子以共价 键型式结合而成 , 其晶体结构为六方晶格结构 . 它常被应用的切面有 A- Plane,C-Plane 及 R-Plane. 由于蓝宝石的光学穿透带很宽 , 从近紫外光 (190nm) 到中红外线都具有很好的透光性 . 因此被大量用在光学元件、红 外装置、高强度镭射镜片材料及光罩材料上，它具有高声速、耐高温、 抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高（2045℃）等特点，它是一种相当 难加工的材料，因此常被用来作为光电元件的材料。目前超高亮度白 / 蓝 光 LED 的品质取决于氮化镓磊晶 (GaN) 的材料品质，而氮化镓磊晶品质则 与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石 ( 单晶 Al2O3 )C 面 与Ⅲ - Ⅴ和Ⅱ - Ⅵ族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小，同时符合 GaN 磊 晶制程中耐高温的要求，使得蓝宝石晶片成为制作白 / 蓝 / 绿光 LED 的关键 材料 . 下图则分别为蓝宝石的切面图 ; 晶体结构图上视图 ; 晶体结构侧视图 ; Al2O3 分之结构图 ; 蓝宝石结晶面示意图 1 蓝宝石切面图图 晶体结构图上视图 晶体结构侧视图 Al2O3 分之结构图 2 蓝宝石结晶面示意图 最常用来做 GaN 磊晶的是 C 面 (0001) 这个不具极性的面 , 所以 GaN 的极性 将由制程决定 (a) 图从 C 轴俯看 (b) 图从 C 轴侧看 3 蓝宝石 (Al2O3) 特性表 分子式 Al2O3 密度 3.95-4.1 克 / 立方厘米 晶体结构 六方晶格 晶格常数 a=4.785? , c=12.991? 莫氏硬度 9 ( 仅次于钻石 :10) 熔点 2045 ℃ 沸点 3000 ℃ 热膨胀系数 5.8 × 10 -6 /K 比热 0.418W.s/g/k 热导率 25.12W/m/k (@ 100 ℃) 折射率 no =1.768 ne =1.760 dn/dt 13x10 -6 /K(@633nm) 透光特性 T≈80% (0.3～5μm) 介电常数 11.5( ∥c), 9.3(⊥c) 4 2 蓝宝石晶体的生长方法 蓝宝石晶体的生长方法常用的有两种 : 1: 柴氏拉晶法 (Czochralski method), 简称 CZ 法 . 先将原料加热至熔点后熔 化形成熔汤，再利用一单晶晶种接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面 上因温度差而形成过冷。于是熔汤开始在晶种表面凝固并生长和晶种相同晶 体结构的单晶。晶种同时以极缓慢的速度往上拉升，并伴随以一定的转速旋 转，随着晶种的向上拉升，熔汤逐渐凝固于晶种的液固界面上，进而形成一 轴对称的单晶晶锭 . 2: 凯氏长晶法 (Kyropoulos method), 简称 KY 法 , 大陆称之为泡生法 . 其原理 与柴氏拉晶法 (Czochralskimethod) 类似，先将原料加热至熔点后熔化形成熔 汤，再以单晶之晶种 (SeedCrystal ，又称籽晶棒 ) 接触到熔汤表面，在晶种与 熔汤的固液界面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶，晶种以极缓慢的速 度往上拉升，但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔汤与晶种界面的 凝固速率稳定后，晶种便不再拉升，也没有作旋转，仅以控制冷却速率方式 来使单晶从上方逐渐往下凝固，最后凝固成一整个单晶晶碇 . 两种方法的晶体生长示意图如下 : 5 柴氏拉晶法 (Czochralski method) 之原理示意图 图 6 6 凯氏長晶法 (Kyropoulos method) 之原理示意图 图 7 7 3 蓝宝石衬底加工流程 蓝宝石基片的原材料是晶棒 , 晶棒由蓝宝石晶 体加工而成 . 其相关制造流程如下 : 蓝宝石晶体 晶棒 晶棒 基片 8 蓝宝石晶棒制造工艺流程 蓝宝石晶棒加工流程 晶体 晶棒 长晶 : 利用长晶炉生长尺寸大且高品质的单晶蓝宝石晶体 定向 : 确保蓝宝石晶体在掏棒机台上的正确位置 , 便于掏棒加工 掏棒 : 以特定方式从蓝宝石晶体中掏取出蓝宝石晶棒 滚磨 : 用外圆磨床进行晶棒的外圆磨削 , 得到精确的外圆尺寸精度 品检 : 确保晶棒品质以及以及掏取后的晶棒尺寸与方位是否合客户规格 机械加工 9 蓝宝石基片制造工艺流程 晶棒 基片 定向 : 在切片机上准确定位蓝宝石晶棒的位置 , 以便于精准切片加工 切片 : 将蓝宝石晶棒切成薄薄的晶片 研磨 : 去除切片时造成的晶片切割损伤层及改善晶片的平坦度 倒角 : 将晶片边缘修整成圆弧状 , 改善薄片边缘的机械强度 , 避免应力集中造成缺陷 抛光 : 改善晶片粗糙度 , 使其表面达到外延片磊晶级的精度 清洗 : 清除晶片表