第四章 晶体的缺陷.pptVIP

熵的改变量 由上式和 得到 其中利用了斯特令公式，即当x很大时有 由 得 由于Nn，N’N，所以上式化为 取近似 2、空位和填隙原子的数目 设晶体中空位和填隙原子的数目分别为n1和n2，形成一个空 位和一个填隙原子所需能量分别u1为u2。晶体的自由能则为. 自由能取最小值的条件为 从N个原子取出n1个原子形成n1个空位的可能方式数目为 n2个填隙原子分布在N‘个填隙位置的方式数目为 将W=W1W2W0代入 得到熵的改变量为 由自由能取极小值的条件得 取N=N,n2式化为 因为u2通常大于u1，所以在常温下，空位数目比填隙原子数目 大得多，将n1 ，n2数值代入几率公式，可得，几率为 4.4缺陷的扩散 一、扩散方程 设扩散粒子的浓度为C，稳定态时，扩散粒子流密度与扩 散物质的浓度C梯度成正比 j ＝－ D ?C 其中D称为扩散系数，它与晶体结构，扩散物质浓度及温度 等有关。式中的负号表示扩散的方向是从浓度高处向低处进 行的，即保证D为正数 在扩散物质浓度很低时，可认为D与浓度C无关把式j取 散度，代入连续性方程，并认为D与C无关，即可得到扩散 的连续性方程 对于简单的一维扩散 上式微分方程的定解形式取决于边界条件的具体形 式，常采用的扩散条件有两类 1、设数量为单位面积上有Q个粒子向晶体内部单方向扩散，其 初始、边界条件可表示为 t＝0： x＝0， C0 ＝ Q ； x0， C (x) ＝ 0 t0，晶体内部扩散粒子的数目有： 即与之相应的方程 的解为 、设扩散粒子在晶体表面维持一个不变的浓度C0 ，其初 始边界条件可表示为 t＝0： x＝0， C0 ＝ Q ； x0， C(x，t) ＝ 0 ； t=0，x＝0， C(x，t) ＝ C0 此时，方程 的解为 二、自扩散的微观机制 根据统计物理，粒子的平均位移平方于扩散系数D的关系为 其中 是在若干相等的时间间隔t内，粒子的位移平方的平均 值，在晶体中，粒子的位移受晶格周期性的限制，其位移平方 的平均值也于晶格周期有关 1、空位机制 对于借助于空位进行扩散的正常格点上的原子，只有当它相邻的格点是空位时，它才可能跳越一步，需等待的时间是?1 。但被认定的原子相邻的一个格点称为空穴的几率是n1/N，所以它等待到相邻的这一格点称为空位并跳到此空位所花的时间为 对于简单晶格，原子在这段时间内只跳过一个晶格常数，所以 上式之所以是原子位移平方的平均值，是由于时间t是一个 统计平均时间，将上两式代入 可得，原子通过空位进行扩散的扩散系数 将 代入上式，可得 从上式可以看出，当温度很低时，扩散系数很小，温度很高 时，扩散系数较大。这是因为温度很低时，原子的振动能小， 难以获得足够的能量跳过势垒E1；温度很高时，晶格振动能 大原子容易获得足够的能量跳过势垒进行扩散。 2、填隙原子机制 通过如图所示的情况，观察填隙原子的扩散。 填隙原子的扩散 A 最后得到填隙原子的扩散系数为 一般u2u1，在势垒高度E1≈E2的情况下，比较两扩散系 数可知，空位的扩散系数比填隙原子的扩散系数大。 两式可统一为 其中N0是阿伏加德罗常数，R是摩尔气体常数，N0ε称作 激活能。 杂质原子以填隙方式存在于晶体中:它本身就是填隙原子，并通过填隙原子迁移方式在晶体中扩散，如负、硼、碳等在铁中的扩散。其扩散系数式中2，为间隙位置间的势垒高度从l为杂质原子在间隙位置的振动频率。因为杂质本来是以填隙方式存在的，所以上式中不包括形成填隙原子所需要的能量，故晶体中杂质的扩散系数耍比一般自扩散系数大得多。 杂质原子是以替代方位存在于晶体中:其扩散方式与前面的自扩散相似，空位机制和垣隙机制都可能存在。但实验表明，其扩镇系数也耍比自扩散系数大。这是因为，外来原子和晶体基质原子大小不同，当它们替代了基质原子后，便引起周围畸变，从而导致近邻出现空位的几率增大，这样就大大加快了杂质原子的扩散速率 。 晶体中的其它缺陷：位错、晶粒边界等的存在，也影响着杂质原子的扩散行为。由此可见，杂质原子的扩散现象所牵涉的问题往往较为复杂。 三、杂质原子的扩散 4.5离子晶体的热缺陷在外场中的迁移 离子晶体的结构特点： 正、负离子相间排列在格点上，每个离子均被配位数相等的异号离子所包围。无论是形成正、负离子空位，还是形成正、负填隙离子，都会在缺陷处形成正的或负的带电中心。显然，A+B-型离子晶体中共有4种带电的本征缺陷；成为正电中心的点缺陷有负离子空位和正填隙离子；而带负电的有正离子空位和负填隙离子。因为整个晶体保持电中性，这就限定在离子晶体中，对肖特基缺陷应有数目相同的正、负离子