集成电路工艺概述 77页.pptVIP

31 第 3 阶段：硅片的测试 / 拣选 ? 硅片制造完成后，硅片被送到测试 / 拣选区， 在那里进行单个芯片的探测和电学测试，然后 拣选出可接受和不可接受的芯片，并为有缺陷 的芯片做标记，通过测试的芯片将继续进行以 后的工艺。 32 第 4 阶段：装配和封装 ? 把单个芯片包装在一个保护管壳内。 ? DIP 33 第 5 阶段：终测 ? 为确保芯片的功能，要对每一个封装的集成电 路进行测试，以满足制造商的电学和环境的特 性参数要求。 ? 至此，集成电路制造完成。 34 晶圆制造厂 35 晶圆 36 在亚微米 CMOS IC 制造厂典型的硅片流程 模型 37 38 扩散区 ? 扩散区一般认为是进行高温工艺及薄膜淀积的 区域。 ? 主要设备： ? 高温扩散炉： 1200℃ 左右，能完成氧化、扩散、 淀积、退火以及合金等多种工艺流程。 ? 湿法清洗设备（辅助） ? 硅片在放入高温炉之前必须进行彻底的清洗， 以去除硅片表面的沾污以及自然氧化层。 39 40 光刻区 ? 光刻的本质是把（临时）电路图形复制到覆盖 于硅片表面的光刻胶上。 ? 黄色荧光管照明 ? 主要设备 ? 步进光刻机（ steper ） ? 涂胶 / 显影设备（ coater/developer track ） ? 清洗装置和光刻胶剥离机？ 41 光刻工艺模块示意图 42 刻蚀区 ? 刻蚀是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永 久的图形。 ? 一旦材料被错误刻蚀去掉，在刻蚀过程中所犯的 错误将难以纠正，只能报废硅片，带来经济损失。 ? 主要设备： ? 等离子体刻蚀机（湿法、干法） ? 等离子去胶机 ? 湿法清洗设备 43 干法等离子体刻蚀机示意图 44 离子注入区 ? 离子注入机是亚微米工艺中常见的掺杂工具。 ? 主要设备： ? 离子注入机 ? 等离子去胶机 ? 湿法清洗设备 45 46 薄膜生长区 ? 主要负责生产各个步骤当中的介质层和金属层的淀 积。薄膜生长中所采用的温度低于扩散区中设备的 工作温度。 ? 主要设备（中低真空环境） ? CVD ? PVD ? SOG 、 RTP 、湿法清洗设备 47 CVD 多腔集成设备和工艺腔的示意图 48 抛光区 ? 化学机械平坦化（ CMP ）工艺的目的是使硅 片表面平坦化。通过将硅片表面突出的部分减 薄到下凹部分的高度来实现的。 ? 主要设备： ? 抛光机 ? 刷片机（ wafer scrubber ）、清洗装置、测量装 置 49 50 典故 51 威廉 · 肖克利（ William Shockely ） ? “晶体管之父”（ 1910-1989 ） ? 1947 ，点接触晶体管； 1950 ，面结型晶体管 ? 肖克利实验室（ 1955 -1968 ），圣克拉拉谷 ( 硅谷 ) ? 1956 ，诺贝尔物理奖 ? 1957 ，八判逆 ? 1958 ，斯坦福大学 ? 1963 ，斯坦福大学 ? 70 年代，人种学和优生学？？ 52 “ 八叛逆”（ The Traitorous Eight ） ? 1955 年，“晶体管之父”威廉 · 肖克利，离开 贝尔实验室创建肖克利实验室。他吸引了很多 富有才华的年轻科学家加盟。但是很快，肖克 利的管理方法和怪异行为引起员工的不满。其 中八人决定一同辞职，他们是罗伯特 · 诺依斯、 戈登 · 摩尔、朱利亚斯 · 布兰克、尤金 · 克莱尔、 金 · 赫尔尼、杰 · 拉斯特、谢尔顿 · 罗伯茨和维克 多 · 格里尼克。被肖克利称为 “ 八叛逆 ” 。八 人接受位于纽约的仙童摄影器材公司的资助， 于 1957 年，创办了 仙童半导体公司 。 53 八叛逆在 Fairchild Semiconductor ， 1959 年 ? 从左至右 ? Gordon Moore , ? Sheldon Roberts, ? Eugene Kleiner, ? Robert Noyce , ? Victor Grinich, ? Julius Blank, ? Jean Hoerni ? Jay Last 1968 ， INTEL 杰里 · 桑德斯（ J. Sanders ） AMD 查尔斯 · 斯波克（ C. Sporck ） NSC 54 2011 年，台湾成为全球最大半导体晶圆生 产地 ? 根据市调机构 IC Insights 调查统计，