第3讲半导体基础知识 三极管1.pptVIP

晶体三极管 第二章 晶体三极管 参考书籍： 谢嘉奎《电子线路》线性部分 晶体三极管 晶体三极管又称双极型晶体管 (BJT) ，一般由两个背靠 背的 PN 结构成，根据这两个 PN 结的排列方式不同，三极管分 为 NPN 型和 PNP 型 两种。 NPN 型 C P N N E B 发射区 集电区 基区 基极 发射极 集电极 集电结 发射结 PNP 型 N P P E B 基区 发射结 集电结 集电区 发射区 集电极 C 发射极 基极 B E T C NPN B E T C PNP 晶体三极管 晶体三极管和晶体二极管一样都是非线性器件， 它的主要特性与其工作模式有关。 晶体三极管有三种工作模式： ? 放大模式 ? 饱和模式 ? 截止模式 晶体三极管 2.2 放大模式下的工作原理 放大模式是指晶体管工作在 发射结正偏、 集电结反偏 的模式。这时它呈现的主要特 性是 正向受控 作用，即三极管的集电极电 流和发射极电流只受正偏发射结电压的控 制，而几乎不受反偏集电结电压的控制。 这种作用是实现放大器的基础。 晶体三极管 2.2.1 三极管的放大作用和载流子的运动 以 NPN 型三极管为例讨论 图 1.3.4 三极管中的两个 PN 结 c N N P e b b e c 表面看 三极管若实 现放大，必须从 三极管内部结构 和 外部所加电源 的极性 来保证。 不具备 放大作用 晶体三极管 三极管内部结构要求： 1. 发射区高掺杂。 2. 基区做得很薄 。通常只有 几微米到几十微米，而且 掺 杂较少 。 三极管放大的外部条件 ：外加电源的极性应使 发射 结处于正向偏置 状态，而 集电结处于反向偏置 状态。 3. 集电结面积大。 晶体三极管 b e c R c R b 三极管中载流子运动过程 I E I B 1. 发射 发射区的 电子越过发射结扩散到 基区，基区的空穴扩散 到发射区 — 形成发射极 电流 I E ( 基区多子数目较 少，空穴电流可忽略 ) 。 2. 复合和扩散 电子 到达基区，少数与空穴复 合形成基极电流 I bn ， 复合 掉的空穴由 V BB 补充 。 多数电子在基区继续扩 散，到达集电结的一侧。 图 1.3.5 三极管中载流子的运动 晶体三极管 b e c I E I B R c R b 三极管中载流子运动过程 3. 收集 集电结反偏， 有利于收集基区扩散过来 的电子而形成集电极电流 I cn 。 其能量来自外接电源 V CC 。 I C 另外，集电区和基区 的少子在外电场的作用下 将进行漂移运动而形成 反 向 饱和电流 ， 用 I CBO 表示 。 I CBO 图 1.3.5 三极管中载流子的运动 晶体三极管 b e c e R c R b 三极管的电流分 配关系 I Ep I CBO I C I B I En I Bn I Cn I C = I Cn + I CBO I E = I Cn + I Bn + I Ep = I En + I Ep 一般要求 I Cn 在 I E 中占的比例 尽量大。 而二者之比称 共基直 流电流放大系数 ，即 E Cn I I ? ? 一般可达 0.95 ~ 0.99 晶体三极管 三个极的电流之间满足节点电流定律，即 I E = I C + I B CBO B CBO B CBO B C C ) 1 ( 1 1 1 ) ( I I I I I I I I ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? E C C CBO CBO E CBO Cn C 1 I I I I I I I I I ? ?? ? ? ? ? ?