脉冲激光沉积制备的二维InSe及其异质结薄膜的光学与柔性光电性质研究.pdfVIP

华东师范大学硕士学位论文 摘要 随着二维半导体领域的研究日渐深入，这类层状半导体也表现出越来越多神 奇的物理性质。但是一个广泛而又基本的问题始终存在于二维半导体领域——如 何制备大面积的二维半导体材料。常见的二维材料获取方法，如化学气相沉积或 机械剥离都难以获取超过几百微米大小的样品。因此，为了解决这个问题，我们 深入探究了脉冲激光沉积系统在制备大面积二维硒化铟（InSe ）材料方面的应用。 InSe 作为一种Ⅲ- Ⅴ族二维半导体，因为其优良的光电特性和超高的电子迁移率 而受到广泛关注。PLD 系统能够非常容易的获取厘米级大小的二维InSe 半导体 薄膜。同时，对于制备的样品厚度和形状能够精确控制，为进一步制备相应二维 材料微纳器件降低了难度。 我们实现了PLD 在不同温度下制备大面积二维InSe 薄膜。研究中发现，用 PLD 制备InSe 的适宜温度区间涵盖了从350 ºC 到600 ºC 的范围。这种宽泛的温 度要求丰富了衬底选择的多样性，同时也给结合其他材料形成异质结带来了可能 性。我们通过XRD 、Raman 和SEM 系统分析表明生成的ε相的InSe 薄膜的具 有良好的结晶性，表面有明显的层状结构。并通过 XPS 测试技术可知 In 与 Se 化学计量比为1.08:1，非常接近于理论值。 半导体薄膜与金属电极间的接触往往深刻的影响着器件电学性能。而常被使 用的Au 电极与InSe 薄膜间存在一个约0.7 eV 的较大的肖特基势垒。为了降低 金半接触的势垒，我们设计并实现了一个自组装的CuInSe /InSe 横向异质结。通 2 过Cu 原子的引入，形成新物质CuInSe ，实现InSe 的图形化生长。并通过异质 2 结调节薄膜与金属铜电极间的能带结构，形成准欧姆接触。通过XRD 和Raman 光谱仪的分析，确定形成的CuInSe2 薄膜属于α 相的黄铜矿晶格结构。通过XPS 来分析CuInSe2 的键合情况，分析化学计量比可知，在CuInSe2 区域中贫铜富铟， 这种偏离理想化学计量比的状态导致CuInSe2 区域可能表现为重掺杂的n 型导电 类型。我们通过Raman Mapping 和SEM 探究CuInSe /InSe 异质结的分布规律， 2 异质结交界两侧有明显的差异。 为了进一步探究异质结与金属间的能带分布，我们通过 KPFM 来探究靠近 I 华东师范大学硕士学位论文 铜电极附近区域异质结的表面电势变化，并得到异质结的能带图。从 KPFM 的 表面电势分析可得，铜电极与CuInSe2 区域间存在微弱的肖特基势垒，异质结薄 膜与铜电极间近似欧姆接触。与Au/InSe 样品进行对比后，发现CuInSe /InSe 异 2 质结有更好的线性I-V 电学特性。进一步的，KPFM 测试结果表明CuInSe2 区域 与 InSe 区域的电子填充水平存在差异而形成电荷的流动，形成一个由 CuInSe2 指向InSe 的内建电场。内建电场的存在使得CuInSe /InSe 异质结器件的光电流 2 约为Au/InSe 器件的4 倍。在光开关曲线中，随着表面光功率密度的增加，异质 结的开关比逐渐增大至约40 倍。最后，我们探究了该CuInSe /InSe 异质结光电 2 探测器在柔性状态下的光电效应。外部施加的应力对薄膜的暗电流的影响较大， 因此在大的压应力下，异质结暗电流逐渐被抑制，因此开关比得