数字集成电路分析与设计考试(广工).pdfVIP

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2020-08-20 发布于广东
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数字集成电路分析与设计考试(广工).pdf

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2010 2010 广东工业大学考试数字集成电路分析与设计考试 16 16 一、计算题（1166分） 17 −3 在一个PMOS 硅栅晶体管中，阱掺杂为N = 3.7×10 cm 。栅掺杂为 D 20 −3 N = 3×10 cm ，栅氧化层厚度为t = 2.2nm，二氧化硅表面单位面积正电荷为 A ox 11 −2 个。 6×10 cm （a）计算无注入零偏置下（V = 0）器件的阈值电压。（10分） SB （b）若希望调节PMOS 的阈值电压至 -0.4V，计算其阈值注入量。（3分）（c）为什么PMOS 采用P+多晶硅而不采用N+多晶硅？（3分） 20 20 二、计算题（2200分）在CMOS 反相器中：（a）与其它反相器相比，CMOS 反相器具有哪些优缺点。（4分）（b）画出其电压传输曲线，并且分析随着输入电压改变，PMOS 和NMOS 工作区 V in 间的转换过程，标注重要临界点。（8分）（c）推导的表达式。（8分） V IL 1 10 10 三、版图题（1100分）试根据版图画出电路原理图，并写出逻辑表达式。 20 20 四、计算题（2200分）采用0.13um工艺，用与非门设计一个SR 锁存器的晶体管电路（拓扑结构图）及器件尺寸（逻辑如图2所示），使其从S 到Q非和R 到Q的延时为200ps，假设Q和Q非驱动的总负载为200fF. 图2 2 20 20 五、计算题（2200分）在图3中，计算其最佳路径延时和晶体管尺寸（所有器件都是标准CMOS 门且所有晶体管都有最小长度L=0.1um）。使用0.13um工艺参数，C 为最小尺寸反相器的输入电容。 inv 图3 14 14 六、画图与读图题（1144分）根据逻辑表达式，画出CMOS 门电路的原理图，并设计其沟道宽度使其与反相器延时相匹配（假设反相器中NMOS 沟道宽度为W）（a）F= (A+ B⋅C)⋅D+ E⋅F 。（7分）（b）根据图4，写出输入与输出之间的逻辑表达式。（7分）