离子辐照钇镓石榴石及碳化硅晶体的特性研究.pdfVIP

山东建筑大学硕士学位论文 摘 要 光波导作为集成光学的基本结构，可以用来连接集成在衬底上的各个光学元件，是 各种集成光器件的基础。由于光波导的性能会直接影响整个集成光路系统的质量，因此 制备高质量、性能优越的光波导一直是集成光学领域研究的目标之一。离子辐照或离子 注入作为材料表面改性的有效方式，可以用于制备光波导，并被广泛的应用于金属、半 导体、光学晶体、陶瓷、聚合物等多种材料。 离子注入过程可以用SRIM （the Stopping and Range of Ions in Matter ）软件来模拟， 注入过程的离子射程、电子能量损失和核能量损失等都可以计算得到。离子注入后的样 品，可以通过退火恢复部分晶格损伤，激活注入离子。光波导的折射率分布、近场光强 分布和损耗等，可以通过棱镜耦合和端面耦合方法测试。离子辐照过程对晶体荧光特性 及晶格结构的影响可以通过微荧光光谱、拉曼光谱、卢瑟福背散射沟道分析技术测试。 离子辐照前后的晶体的表面形貌可以用原子力显微镜和透射电子显微镜表征。 本文的工作主要围绕离子辐照或离子注入钇镓石榴石晶体和碳化硅晶体展开，主要 包含三部分内容：快重离子辐照掺钕的钇镓石榴石（Nd:YGG ）晶体制备光波导；多能 量的He 离子注入掺镱的钇镓石榴石（Yb:YGG ）晶体制备光波导；多种剂量的P 离子辐 照4H 型碳化硅（4H-SiC）晶体产生的损伤研究。具体内容如下： 30MeV 的Kr8+ 以2×1012ions/cm2 的剂量注入Nd:YGG 晶体，制得了一个高质量的折 射率增强的势阱型平面光波导。这种波导因为能有效的避免隧道效应，传输损耗较低， 通过端面耦合的方法测得其传输损耗约为0.8dB/cm 。并且因为其超低的注入剂量，波导 的原子排布损伤（displacement per atom，dpa ）也非常低（0.0012 ），这有利于保障材料 的表面质量，在对晶体质量要求较高的应用器件中有较大的应用潜力；离子辐照后 Nd:YGG 晶体的荧光发射特性和拉曼特性在波导区域都得到了很好的保留。基于这些分 析，我们通过大量的实验研究探索出了合适的波导制备条件，提供了一种有竞争力的 Nd:YGG 晶体波导制备方法，为该晶体在集成光学领域的应用提供了实验依据。 多能量的He 离子以（400+450+500 ）keV 的能量、9.6×1016 ions/cm2 的总剂量注入 Yb:YGG 晶体，制备了折射率降低的位垒型平面光波导，波导区域的深度约为1μm。在 对该波导进行级联退火的过程中发现：当退火温度低于500°C 时，平面光波导有较好的 热稳定性；当温度高于500°C 时，会导致Yb:YGG 晶体表面剥落，这是由于注入的He I 山东建筑大学硕士学位论文 离子形成He 泡并破裂导致的，这项工作结合Bonding 技术制在制备Yb:YGG 薄膜方面 有参考价值。 不同剂量的100keV 的P 离子在室温下辐照4H-SiC 晶体，用卢瑟福背散射和透射电 子显微镜测量了100 keV 的P 离子注入后的4H-SiC 的晶格损伤。根据卢瑟福背散射、透 射电子显微镜和SRIM 的结果，我们认为非晶化损伤阈值约为0.3 dpa 。透射电子显微镜 观察发现，100keV，1.0×1015ions/cm2 的P 离子辐照样品后，4H-SiC 表面的膨胀率约为 10%。从棱镜耦合的结果来看，经退火处理后晶格损伤可以部分恢复。通过拉曼光谱和 吸收光谱分析我们发现，随着注入 4H-SiC 晶体的剂量的增加，晶格的损伤加重，在晶 体内部产生了较多的色心。这项工作为硅基电子器件的选择性掺杂提供了参考数据。 关键词：离子辐照，离子注入，钇镓石榴石，碳化硅，光波导，辐照损伤 II 山东建筑大学硕士学位论文 Study on properties of yttrium gallium garnet and silicon carbide