TFT-Array工艺技术概要 .pptVIP

* 3-2、PCVD 除害装置 （scrubber） ＭＦＣ ＭＦＣ ＭＦＣ 汽缸cabinet 气体BOX 气体吹出电极 （阴极） ヒーター 等离子体 Ｍ．ＢＯＸ Ｐ 控制 ＲＦ电源 下部电极 （阳极） 压力计 节流阀 干泵 气体供给 流量控制 ＲＦpower 压力控制 真空排气 特气对应 工艺腔体 （电极部） 4-1、PR/曝光 由洗净、涂覆、曝光、显影四大部分组成。 洗净： Excimer UV →RB＋AAJet→直水Spray→A/k 涂覆： 除水干燥→ Slit涂覆→ Spin 涂覆→减压干燥→端面清洗→前烘 曝光 显影：显影1→显影2→循环纯水Spray→直水Spray→A/K →后烘 * * 4-2、InlinePR 涂布前洗净 EBR处理 预烘 基板端面的光刻胶除去 N２ 洗浄液 排气 光刻胶中的溶剂除去 →决定光刻胶感光速度 加热盘 非接触方式→改善静电、背面污染、热应力等方面 非接触式栓 刷子 2流体 * 4-3、曝光 横倍率 台形 Ｍｉｒｒｏｒ 凸面 Ｍｉｒｒｏｒ 凹面 Ｍｉｒｒｏｒ Ｘ非線形 基板 Ｓｃａｎ 光源 ＣＣＤ 円弧状Ｓｌｉｔ Ｍａｓｋ ＦｌｙＥｙｅ 弓なり補正 * 4-4、显影 显影液回收 清洗槽 风刀干燥 显影液 显影槽 基板倾斜，显像液流下 基板全面喷纯水 回收 显影液 纯水 湿刻的目的 湿刻是通过对象材料（一般为金属导电膜）与刻蚀液之间的化学反应，对对象材料进行刻蚀的过程。 在TFT-LCD工艺中，主要是对Gate层（Mo/Al）、Drain层（Cr）及像素层（ITO）进行刻蚀。 * 5-1、湿刻 成膜工程 ＰＲ工艺（涂敷,曝光,显影） Ｅｔｃｈｉｎｇ工程 5-2、湿刻设备概要 湿刻装置的构成 　　部　　位 作 用 Etching槽 对基板进行刻蚀处理 水洗槽 通过纯水将刻蚀液冲洗 干燥槽 用A/K干燥基板 * Ｅｔｃｈｉｎｇ　Ｕｎｉｔ 水洗Ｕｎｉｔ 干燥Ｕｎｉｔ * 6-1、干刻 成膜工程（ＣＶＤ） ＰＲ工程（涂布、曝光、显像） 刻蚀工程（ＤＥ ） ＰＲ剥离 刻蚀目的：形成TFT基板的各种pattern。DE刻蚀的主要对象为非金属膜。 反应气体在高频电场作用下发生等离子体（Plasma）放电。 等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。 * 6-2、干刻原理 ETCHING GAS PLASMA * 6-3、干刻装置 大气压 大气压?真空 真空 真空 plasma P/C (Process Chamber) T/C (Transfer Chamber) L/L (Load Lock) 大气Robot 从Cassette和L/L之间的搬送 大气压和真空两种状态之间的切换 L/L和P/C之间的搬送。防止不纯物进入P/C，P/C内的特气外泄 真空中进行Plasma的物理、化学反应，进行刻蚀 1.剥离简介：刻蚀（干刻、湿刻）完 成后除去光刻胶的过程。 * 7-1、剥离 成膜工程 PR工程（涂覆，曝光，显影） 刻蚀工程 剥离工程：刻蚀后 除去光刻胶 3 .各部分作用 * 7-2、剥离 水洗槽 干燥槽 剥离槽 IPA槽 部位 作用 剥离槽 利用剥离液溶解并剥离光刻胶 IPA槽 利用IPA置换剥离液。（防止Al腐蚀） 水洗槽 用纯水洗净处理液 干燥槽 利用A/K干燥基板 2 .剥离装置示意图 标题文字内容 Click here to add Title TFT－Array工艺技术概要 一、 TFT的基本构造 二、 ARRAY工艺介绍 三、 4Mask与5Mask工艺对比 四、 Array现场气液安全 * 主要内容 * 一、 TFT的基本构造 偏光板 TFT基板 TFT 背光源 偏光板 液晶 单像素 （旋转） TFT部位侧视 像素 TN GATE G-SiNx a-Si n+ a-Si DRAIN SOURCE P-SiNx ITO像素电极 GLASS 接触孔 实际结构 * 一、 TFT的基本构造 GATE G-SiNx a-Si n+ a-Si DRAIN SOURCE P-SiNx ITO像素电极 GLASS 接触孔 G工程 I 工程 D工程 C工程 PI工程 * PR曝光工程 成膜工程 刻蚀工程 剥离 G层Sputter (AL-Nb, Mo-Nd) G-Mask PR曝光 G层湿刻 剥离 工艺详细流程－G工程 * 工艺详细流程－D/I工程图解 PR曝光工程 成膜工程 剥离工程 D层 Sputter (Cr) D-Mask PR曝光 D层湿刻2 剥离 PCVD （SiNx） Island干刻 D层湿刻1 刻蚀工程 成膜工程 PCVD （3层CVD）