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半导体器件物理 考试复习 考试题型 填空题36分(19×2分) 名词解释15分(3×5分) 问答题20分(4×5分) 计算题29分(9分+2×10分) 广东工业大学 半导体器件物理 考试复习 扩散电流( diffusion current) 概 在半导体物质中,若载流子的浓度有一个空间上的变化, 则这些载流子倾向于从高浓度的区域移往低浓度的区域,这个 电流成分即为扩散电流。 计算公式: 电子扩散电流密度 其中D称为扩散系数,dn/dx为电子浓度梯度 对空穴存在同样关系 广东工业大学 半导体器件物理 考试复习 例4:假设T=300K,一个n型半导体中,电子浓度在01cm的 距离中从1×1018cm3至7×1017cm3作线性变化,计算扩散电 流密度。假设电子扩散系数Dn=2cm2/ 解:根据相关公式,得到扩散电流密度为 ngD an △ D 16×109×225 1×108-7×10 A cm 0.1 10.8A/cm2 广东工业大学 半导体器件物理 考试复习 在电场强度不大时,电子漂移速度正比于所施加的电场 而比例因子则视平均自由时间与有效质量而定,此比例因子即 为迁移率 因此 E 同理,对空穴有 E 广东工业大学 半导体器件物理 考试复习 例5:室温下少数载流子(空穴)于某一点注入一个均匀的m型半 导体中,施加一个50v/cm的电场于其样品上,且电场在100us 内将这些少数载流子移动了1cm。求少数载流子的迁移率 解:根据题意,空穴的漂移速率为 100×106cm|S=104cm/s 则空穴的迁移率为 ,sn104 cm2/(v·s)=200xm2/(v.s) E50 广东工业大学 半导体器件物理 考试复习 21.1PN结的制造工艺和杂质分布 合金结的杂质分布如左图所示,N型区中施主杂质浓度 为N,而且是均匀分布的,P型区中受主杂质浓度为NA,也 是均匀分布的。在交界面处,杂质浓度从NA(P型区中)突 变为N(N型区中),故称之为突变结。 由扩散法形成的PN结,杂质浓度从P区到N区是逐渐变 化的,通常称之为缓变结,如右图所示 NG N (a)突变结 (a)扩散结 业大学 半导体器件物理 考试复习 21.2平衡PN结的空间电荷区和能带图 1平衡PN结空间电荷区的形成 空间电荷空间电荷区 对于P区空穴离开后,留下了不可移动的带负电荷的 电离受主,这些电离受主没有正电荷与之保持电中性,因 此,在P-N结附近P区一侧出现了一个负电荷区; 同理,在PN结附近N区一侧出现了由电离施主构成 的一个正电荷区,通常把在PN结附近的这些电离施主和 电离受主所带电荷称为空间电荷,它们所存在的区域称为 空间电荷区 广东工业大学 半导体器件物理 考试复习 内建电场 空间电荷区中的这些电 荷产生了从N区指向P区,即 从正电荷指向负电荷的电场, 称之为内建电场(自建电 广东工业大学 半导体器件物理 考试复习 随着扩散运动的进行,空间电荷逐渐增多,空间电 荷区逐渐扩展;同时,内建电场逐渐增强,载流子的漂 移运动逐渐加强,在没有外加电压的情况下,载流子的 扩散和漂移最终达到动态平衡,即从N区向P区扩散过去 多少电子,同时就有同样多的电子在内建电场作用下返 回N区。因而电子的扩散电流和漂移电流的大小相等,方 向相反,从而相互抵消。对于空穴,情况完全相似。因 此没有净电流流过PN结,即净电流为零。 这时空间电荷的数量一定,空间电荷区不再继续扩 展,保持一定的宽度,同时存在一定的内建电场。一般 在这种情况下的PN结称为热平衡状态下的PN结(简称 平衡PN结)。 广东工业大学 半导体器件物理 考试复习 势垒区和接触电势差 从图中可以看出,在PN结的空间电荷区中能带发生 弯曲,电子从势能低的N区向势能高的P区运动时,必须 克服这一势能“高坡”,才能达到P区;同理,空穴也必 须克服这一势能“高坡”,才能从P区到达N区。这一势 能“高坡”通常称为PN结的势垒,故空间电荷区也叫势 垒区。从图中还可以看出P区导带和价带的能量比N区的 高 qVDo V称为PN结的接触电势差。 广东工业大学