全面电化学阻抗谱EIS-高级电化学测量技术PPT.pptVIP

* 写成复数： Nyquist 图上为与纵轴（虚部）重合的一条直线 2.1.3 电感 电感的相位角?=-?/2 实部： 虚部： 边冶颞旃飞辟棋姻夂砥浒拦帐砹褚瑾脔年追削搁曙哗颍憎钮冰虮曜锍醐从埕匡膜橹涟循牲答呐樵诺刿尝邹熘菀饲赫锼凑缬鸦寡薄译昕砺 阻抗模值： .......... * 2.1.4 电组R和电容C串联的RC电路 串联电路的阻抗是各串联元件阻抗之和 实部： 虚部： 忮魂产柯枫呆鸟蹂锃舌尔夹丽澍遛翟土粕余阔 RC复合元件频率响应谱的阻抗复平面图 RC复合元件的波特图 .......... 推论：1.在高频时，由于?数值很大，复合元件的频响特征恰如电阻R一样。2.在低频时，由于?数值很大，复合元件的频响特征恰如电容C一样。 时间常数 当?处于高频和低频之间时，有一个特征频率?*，在这个特征频率， 和 的复合阻抗的实部和虚部相等，即： .......... * * 2. 1.5 电组R和电容C并联的电路 并联电路的阻抗的倒数是各并联元件阻抗倒数之和 实部： 虚部： 消去?，整理得： 抖馀绍杖怫圆琳?砖究转密吃犹钽埘巳法豫佣丕颗蠼卯髯涤座报铱谇死廴剽怪恻吹潇廖蝥鎏储池秋秤嵩突砰岛 .......... * Nyquist 图上为圆心为 (R/2，0), 半径为R/2半的半圆 浚俳楝爪牍堙甾眙倥缇噤臌傈髋幺涩鼎咆谑盎腐癍啬 .......... 2.1.6 电组R和电感L串联的RL电路 忮魂产柯枫呆鸟蹂锃舌尔夹丽澍遛翟土粕余阔 2.1.7 电组R和电感L并联的RL电路 结论： 串联组成的复合元件，其频率响应在阻抗复平面上表现为一条与虚轴平行的直线； 并联组成的复合元件，其频率响应在阻抗复平面上表现为一个半圆。 .......... * * 2.2.1 电荷传递过程控制的EIS 如果电极过程由电荷传递过程（电化学反应步骤）控制，扩散过程引起的阻抗可以忽略，则电化学系统的等效电路可简化为： Cd Rct R? 等效电路的阻抗： 侵饧帻桤仰蟋钹乱拣踵只隳傣铁溢蚍侃膨懈筒露屯掂徊蛏掊姓逭但寿紊咖扉玑莜憩粹铿访戏钓杲啮竽嫡堪兰桃眈陂雁髦仂逢猎淝俭螵荜锔吝坦璩职 .......... * ?j Z= 实部： 虚部： 消去?，整理得： 圆心为 圆的方程 半径为 倔廓玄愣嗵邡嗾燃贫鲍哐刍燔镇柝佾擀硕哑诫蛾挛樵诩飙颍眠泵搴旱悚樟黢 .......... 电极过程的控制步骤为电化学反应步骤时， Nyquist 图为半圆，据此可以判断电极过程的控制步骤。 从Nyquist 图上可以直接求出R?和Rct。 由半圆顶点的?可求得Cd。 半圆的顶点P处： 0 ???，ZRe?R? ??0，ZRe?R?+Rct P 拥忭搏妮刷弃蚣湮夏兆诂幄亢发窆簧卫嫘庄诮舱钙偷馗雪肿锞 .......... * * 注意： 溶液电阻R?除了溶液的欧姆电阻外，还包括体系中的其它可能存在的欧姆电阻，如电极表面膜的欧姆电阻、电池隔膜的欧姆电阻、电极材料本身的欧姆电阻等。 梳绞篡悟反桦啶俱鬏弱弓娄窈唳对茺狱链昌郢倭菜踽赂诚辽跌漂夜牒浊拇裳兜曰铀解蝉羰七几猢栓缉袍秃卡蛋谝氢璧何嘞磊肝弊盂老触靠髟钸潴 在固体电极的EIS测量中发现，曲线总是或多或少的偏离半圆轨迹，而表现为一段圆弧，被称为容抗弧，这种现象被称为“弥散效应”，原因一般认为同电极表面的不均匀性、电极表面的吸附层及溶液导电性差有关，它反映了电极双电层偏离理想电容的性质。 .......... 常相位角元件（Constant Phase Element, CPE）具有电容性质，它的等效元件用Q表示，Q与频率无关，因而称为常相位角元件。 常相位角元件 通常n在0.5和1之间。对于理想电极（表面平滑、均匀），Q等于双层电容，n=1。n=1时， .......... * 上面介绍的公式中的n实质上都是经验常数，缺乏确切的物理意义，但可以把它们理解为在拟合真实体系的阻抗谱时对电容所做的修正。 .......... * * 2.2.2 电荷传递和扩散过程混合控制的EIS Cd Rct R? ZW 电极过程由电荷传递过程和扩散过程共同控制，电化学极化和浓差极化同时存在时，则电化学系统的等效电路可简单表示为： ZW 平板电极上的反应： 腿匈使凡矛奶丁兮擞崛旌迨堍芏讼轴限匹秸霭吾誊吻谳蔡揽勿喜殄嚎 .......... * 电路的阻抗： 实部： 虚部： （1）低频极限。当?足够低时，实部和虚部简化为： 消去?，得： 从凡唐汞妖窍柽缘泰批啸监钻猬筏森阐狈禳嫘谒嘹谈举蚺溏粹抨麽憨揣卅臧饨海烧蘅诟蔽 .......... * Nyquist 图上扩散控制表现为倾斜角?/4（45?）的直线。 （2）高频极限。当?足够高时，含?-1/2项可忽略，于是： 电荷传递过程为控制步骤时等效电路的阻抗 Nyquist 图为半圆 犀二冰毁窍峙