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化学机械抛光 CMP 硅片的表面起伏问题与解决方案 化学机械平坦化CMP CMP主要影响因素 工艺参数因素与选择 抛光液相关问题探讨 ◼ 硅片的表面起伏问题 双层金属IC的表面起伏 ◼ 平坦化的定性说明 1 ）未平坦化 2 ）平滑：台阶角度圆滑和侧壁倾斜，台阶高度未减 3 ）部分平坦化：平滑且台阶高度局部减小 ◼ 平坦化的定性说明 4 ）局部平坦化：完全填充较小缝隙或局部区域。 相对于平整区域的总台阶高度未显著减小 5 ）全局平坦化：局部平坦化且整个Si片表面总台阶高 度显著减小 ◼ 化学机械平坦化CMP 获取全局平坦化的一种手段是化学机械抛光(简称CMP)。这些设备的销 售从1990年到1994年上升了三倍，从1994年到1997年上升了四倍。尽管 最初它只是开发用于互连平坦化，今天它也用于像器件隔离这些工艺。 在微电子制造的早期，最普遍的生产工艺是，先做一层厚的介质层，通 常是使用旋涂或CVD法生长技术在器件表面形成一层玻璃，然后将硅片放 在一种包含有胶质的磨料悬浮液和腐蚀剂的碱性膏剂中机械研磨。KOH和 NaOH是最常用的悬浮液的基体。典型的pH值大约是10，维持这个值，以 便保持硅石颗粒的负向充电，便于避免形成大量的冻胶网状物。有时使 用一种pH缓冲剂用于保证工艺的稳定性。所用颗粒的尺寸通常取决于所 要求的去除速率。抛光膏剂之中的固态成分保持在(12~30)％。 ◼ CMP工艺被设计用来产生一个全局平整的表 面，既无划伤也无玷污。由于被用于抛光 膏剂中的SiO 颗粒并不比被抛光的表面硬， 2 可以避免器件表面的机械损伤。由于CMP能 够形成平整的表面，CMP硅片能产生很少的 金属线缺陷，像短路和开路，这两种缺陷 最常发生在图形的边缘。 ◼ CMP工艺也被用于像铜和钨这样的金属层的平坦化。 对于金属的平坦化使用酸性(pH3)的膏剂。这些 膏剂并不形成胶质的悬浮液，因此必须使用一些 搅动以利于获得均匀性。 ◼ 对于钨CMP工艺，氧化铝(矾土)是最常用的 研磨料，由于它比其他大多数研磨料都更 接近于钨的硬度。钨通过不断的，自限制 的钨表面的氧化和随之以后的机械研磨被 去除。这种膏剂形成含水钨氧化物，被数 量级为200nm的氧化铝颗粒选择性去除。已 经表明，对于典型的CVD钨，当膜变薄时去 除速率增加。这与钨晶粒尺寸的改变相关。 ◼ 对铜的化学机械抛光特别有趣，因为铜具有低的 电阻率并且用等离子体特别难以刻蚀。所以铜的 图形能够通过一种被称为Damascene工艺的CMP技 术形成。铜可以在一种包含有直径为几百个纳米 的颗粒的水状溶剂之中被抛光。典型的膏剂包含 有铵氢氧化物，醋酸，双氧水，可获得高达每分 钟1600nm的抛光速率。与钨不同，铜是一种软金 属。机械效应在抛光过程中具有重大的影响。现 已发现抛光速率与所加压力和相对线速度呈正比。 盘的状况和压力应用机理对铜的CMP尤其重要。 ◼ 在CMP单项工艺之中，抛光后清洗是非常重要的步 骤。通常我们必须权衡抛光指标(均匀性，平整度， 产能)与清洗指标(颗粒，划伤，其他表面损伤， 残余的离子和金属玷污)。超声搅拌可与柔软的抛 光板刷或清洁溶剂相结合，以帮助去除硅表面的 胶状悬浮物。通常硅片都需要转移到预留用于清 洁的第二块抛光盘，这个转移必须及时进行以防 硅片表面的悬浮物变干，一旦悬浮物变干则残留 物的去除会变得非常困难。 ◼ 而且，CMP之后硅片表面留下的划痕可能聚集金属， 这很难在标准的等离子体腐蚀液中去除。这些嵌 入的充满金属的划痕有时叫做轨道，并且会造成 以后金属线的短路。在钨CMP工艺中经常会发生， 因为表面的钨一直去除到层间氧化层，而钨仅在 通孔中存在。一旦钨被全部去除，硬的氧化铝颗 粒会严重划伤二氧化硅表面。钨CMP后的清洗相当 难，因为在典型工艺条件下钨颗粒上有的大的静 电电位。一个稀释(100：1)氢氟酸清洗可用来去 除许多更小的金属颗粒和留下的表面损伤。 ◼ 化学机械研磨(CMP)工艺与已有20多年历