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半导体光电子器件物理基础； 半导体光电探测器； 半导体光电池； 半导体电荷耦合器件（CCD）； 半导体激光器（LD）； 半导体发光二极管（LED）。;半导体光电子器件物理基础;Ch3 半导体光电子器件物理基础;§3-1 pn结（同质）;§3.1.1 pn结定义 pn结定义 所谓pn结，是指采用某种技术在一块半导体材料内形成共价键结合的p型和n型区，那么p型区和n型区的界面及其二侧载流子发生变化范围的区域称为pn结。 ※单晶态材料如属半导体，那么该材料的多晶、非晶态仍为半导体。;※常用概念 ○ pn结结深-- pn结材料表面到pn结界面的距离，用xj表示 。 ○单边突变结—对于突变结，若p型区掺杂浓度远高于n型区掺杂浓度，或反之，则将该pn结称为单边突变结。 如果：ＮＡ＞＞ＮＤ，用p＋n表示；ＮＤ＞＞ＮＡ，用pn＋表示。 ○线性缓变结--对于缓变结，若结深附近杂质浓度的分布梯度可以用线性近似，则称为线性缓变结，即 dN(x)/dx|x=xj = C ★理论上为分析问题简单，通常按突变结或线性缓变结近似处理。 ;§3.1.2 pn结基本物理特性;; ; B. 接触电位差 自建电场的存在，在pn结空间电荷区内产生了由 p区侧负电荷区到n区侧正电荷区逐渐上升的电位分布，使中性n区