集成电路制造相关术语.pdfVIP

1. accept ance test ing (W A T : w afer accept ance t est ing) 3. A CC E SS：一 个 EDA （Engi neer ing Dat a A nal ysis）系 统 6. A l ign mar k (key) ：对 位标 记 9. A m monia 氨 10. A m mon i u m f luor id e 氟 化铵 11. A m mon i u m hyd r ox id e 氢 氧 化铵 12. A mor phous sil icon ： α-Si ，非 晶硅 （不是 多 晶硅 ） 13. A nalog：模 拟 的 14. A ngst r om 15. A ni sot r op ic ：各 向异 性 （如 PO L Y ET C H 16. A Q L (A cceptance Q uality L ev el) ：接 受 质量 标 准 ，在 一 定采 样下 ，可 以 95% 置信 度 通 过 质量 标 准 （不 同于 可 靠性 ，可 靠性 要 求 一 定时 间后 的失 效 率 ） 17. A RC(A nt ir ef lect i ve coat i ng) ：抗 反 射 层 （用 于 M ET A L 等 层 的光刻 ） 18. A nt imony (Sb)锑 22. A r sine 24. A spect r at ion ：形 貌 比 （ET C H 中 的深 度 、 宽度 比 ） 25. A uto d op ing： 自搀 杂 （外 延 时 SUB 的 浓度 高 ，导致 有 杂 质 蒸发 到环 境 中后 ，又 回掺 到 外延 层 ） 28. B enchmar k ：基准 30. B oat ：扩 散 用 （石英 ）舟 32. C har acter w ind ow ：特 征 窗 口。用 文字 或 数 字 描述 的包 含工 艺所 有特 性 的一个 方 形 区 域 。 36. C I M ： com puter - integr at ed manufact u r i ng 的缩 写 。用 计 算 机控 制 和 监控 制 造 工艺 的 一 种综 合 方 式 。 39. C om pensat ion d opi ng ：补偿 掺 杂 。向 P 型 半 导体 掺 入 施主 杂 质 或 向 N 型掺 入 受 主杂 质 。 40. C M OS：com p lement ar y met al oxide sem icond uctor 的缩 写 。一 种 将 PM OS 和 N M OS 在 同 一 个 硅 衬底 上 混 合制 造 的工艺 。 41. C om puter -aid ed d esign （CA D ）：计 算机 辅 助 设计 。 42. Conduct i vity ty pe：传 导类 型 ， 由多数 载 流 子决 定 。在 N 型材料 中多 数载 流 子 是 电子 ， 在 P 型材 料 中多数 载流 子 是 空穴 。 43. C ont act ：孔 。在 工艺 中通 常指 孔 1， 即连 接 铝 和 硅 的 孔 。 44. C ont r ol chart ：控 制 图。一 种 用 统计数 据 描 述 的可 以代表 工 艺某 种性 质 的 曲线 图表 。 45. C or r elat ion ：相关 性 。 46. C p： 工 艺 能力 ，详 见 pr ocess capab ili ty 。 47. C pk ：工 艺 能力 指 数 ，详 见 p r ocess capab il ity i nd ex 。 48. C ycle t i me： 圆 片做 完某 段 工 艺 或 设 定 工艺段 所 需要 的时 间 。 49. D amage：损 伤 。 50. D ef ect d ensity ：缺 陷密 度 。单 位面 积 内 的缺 陷数 。 51. D eplet ion im p lant ：耗 尽 注 入 。一 种在 沟 道 中注 入 离 子形 成 耗 尽 晶体 管 的注 入工 艺 。（耗 尽 晶体 管 指 在栅 压 为 零 的情 况 下有 电流 流 过 的 晶体 管 。 ） 52. D eplet ion layer ：耗 尽 层 。可动 载 流 子 密度 远 低于施 主 和 受主 的 固 定 电荷 密 度 的区 域 。 53. D eplet ion w id t h ：耗 尽 宽度 。 55. D ept h of f ocus