集成电路制造技术原理与工艺4热氧化.pptVIP

31 气体分压对氧化速率的影响 ? 氧化剂分压 P g 是通过 C* 对 B 产生影 响： B ∝Pg g O s HP C N C D B h k D A ? ? ? ? ? 2 2 2 * SiO SiO 2 ) 1 1 ( 2 32 硅衬底的晶向对氧化速率的影响 ? 不同晶向的衬底单 晶硅由于表面 悬挂 键密度不同 ，生长 速率也呈现各向异 性。 ? 空间位阻 （ Steric Hindrance ） 33 掺杂情况对氧化速率的影响 ? 线性和抛物型氧化速率常数对存在于氧化剂 中或存在于硅衬底中的杂质敏感。 ? 磷 在较低温度增强氧化明显，而 硼 在低温时 增强氧化不明显，高温明显。 钠 、 水汽、氯 都能显著提高氧化速率。 34 掺杂对氧化速率的影响 900 ? C 时干氧氧化速率随表面磷浓度的变化 n ＋ ： 反应速率 限制， B / A 起 主要作用，氧化速率取决于 硅表面的掺杂浓度 35 卤族元素掺入对氧化速率影响 ? 在氧化气氛中加入适量的卤族元素会改善氧化膜及 其下面硅的特性。 ? 氧化膜特性的改善包括钠离子浓度减少、介质击穿 强度增加、界面态密度减少。 ? 实践中应用较多的卤族元素是 氯 ，在 Si-SiO 2 界面上 或界面附近，氯能使杂质转变成容易挥发的氯化物 从而起到吸杂的效果，另外也能看到氧化诱生旋涡 缺陷减少。 36 掺氯对氧化速率的影响 N 型硅（ 100 ）和（ 111 ）晶面氧化速率常数与 HCl 浓度之间关系 （ 900 ℃ ， 1000 ℃ ， 1100 ℃ ） 37 水汽的存在 对氧化速率的影响 ? 在干氧氧化的气氛中，只要存在极小量 的水汽，就会对氧化速率产生重要影响。 38 4.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备 ? D-G 模型对 30nm 以 下的干氧氧化不准。 ? 自然氧化物不是连 续生长而是阶段的 生长。轻掺杂 0.8nm; 重掺杂 1.3nm 。 ? 初始氧化阶段的氧 化机制仍是日前研 究热点。 39 4.4 热氧化过程中杂质的再分布 由四方面因素决定： ? 杂质的分凝现象； ? 杂质在 SiO 2 表面逸出； ? 杂质在 SiO 2 、 Si 中的扩散系数； ? 界面移动（氧化速率） 分凝 逸出 扩散 界面 移动 40 SiO 2 /Si 界面杂质分凝现象 ? k1 ，在 SiO 2 /Si 界面杂质向 SiO 2 内扩散， Si 表面 杂质浓度低， 耗竭 。 B k B = 0.3 ， Al k Al =0.1 。 ? k1 ，在 SiO 2 /Si 界面杂质向 Si 内扩散， Si 面杂质 浓度高， 堆积 。 P k p = 10 ， As k As =10 ， Ga k Ga =20 。 ? 指杂质在 SiO 2 和 Si 中平衡浓度不同的 分凝现象 现象。 ? 分凝系数是衡量分凝效应强弱的参数： 2 Si SiO n K n ? 41 杂质在 SiO 2 /Si 界面分布 SiO 2 / Si SiO 2 / Si SiO 2 / Si SiO 2 / Si k1 杂质在硅 一侧耗竭 B 在 SiO 2 中扩散慢 B 在 SiO 2 中扩散快 (H 2 环境） P,As 在 SiO 2 中 扩散慢 Ga 在 SiO 2 中 扩散快 k1 杂质在硅 一侧堆积 42 4.4.2 再分布对硅表面杂质浓度的影响 热氧化后硅中磷的表面浓度 热氧化后硅中硼的表面浓度 43 计算得到的在不同温度下氧化后硅中硼的分布曲线 高温氧化对杂质浓度分布的影响 44 ? 一般要求：表面无斑点，裂纹，白雾，发花 和针孔等毛病； ? 主要为表面观察和厚度测量 4.5 氧化层的质量及检测 45 4.5.1 氧化层检测 ? 镜检：外观颜色均匀性，有无裂纹等 ? 厚度：光学方法、探针轮廓仪等 ? 针孔密度：腐蚀法、铜缀法 ? 电荷面密度： C-V 法 46 （１）双光干涉法 ? ①原理：利用测定氧化层台阶上的干涉条纹数目求氧化层厚度的双光干 涉法。当用单色先垂直照射氧化层表面时，由于是透明介质，所以入射 光将分别在表面和硅界面处反射。 ? ②设备：一台单色光源（一般采用纳光灯）和一台普通的干涉显微镜。 ? ③测量方法： ? 试片（陪片）表面涂一小滴黑胶，然后在 HF 中未被保护的腐蚀掉，丙酮 除去黑胶，这样在硅片表面出现一个台阶。用干涉显微镜观察表面时， 在台阶处就出现的明暗相同的干涉条纹，根据干涉条纹数目，可计算出 的氧化层厚度 ? 一般从一个最亮到相邻的一个最亮条（或最暗条到相邻的另一个最暗条） 就算一个干涉条纹。而从最暗到相邻最亮条则可算为半根。 47 （ a ） （ b ） 图 氧化层厚度测量 ---- 干涉条纹 x 2n λ d ? n ：二氧化膜的折射率，约为 1.5 ；