13半导体三极管R2解析.pptVIP

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2020-09-16 发布于天津
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模拟电子技术基础信息科学与工程学院 · 基础电子教研室五、稳压二极管及应用稳压管的符号 3. 稳压管的稳压条件必须工作在反向击穿状态；流过稳压管的电流在 I Z 和 I ZM 之间。【】内容回顾 1.3.1 晶体管的结构和类型基区发射区集电区发射结集电结发射极基极集电极 b e c 【】内容回顾 § 1.3 双极型晶体管 PNP 型注意： NPN 型与 PNP 型三极管符号的区别【】内容回顾 NPN 型发射极箭头的方向为射极电流的方向 C i E i B i C i E i B i 1.3.2 晶体管的电流放大作用晶体管工作在放大状态的外部条件 : 共射放大电路发射结 : 正向偏置晶体管的放大作用 : 小的基极电流可以控制大的集电极电流集电结 : 反向偏置 B i C i N N P 1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 I E 2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流 I B 3. 集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流 I C 一、晶体管内部载流子的运动 I B I C B C E I I I ? ? 晶体管的电流分配关系 B C I I ? ? 共射直流电流放大系数 1 ) 1 ( ? ? ? ? ? ? ? ? B E B C I I I I B C E I I I ? ? 晶体管的电流分配关系 B C I I ? ? 共射直流电流放大系数 1 ) 1 ( ? ? ? ? ? ? ? ? B E B C I I I I B C i i Δ Δ ? ? 共射交流电流放大系数通常认为： ? ? ? 晶体管的电流分配关系 I B I C I E I B I C I E 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 U CE I C + - U BE I B + - 实验线路 m A ? A V V R B E C E B R C 1. 输入特性 I B ( ? A) U BE (V) 20 40 60 80 0.4 0.8 导通电压：硅管 (0.7V) U BE ? 0.6~0.8V , 锗管 (0.2V) U BE ? 0.1~0.3V 。开启电压：硅管 0.5V ，锗管 0.1V 。 ? ? 常数 ? ? CE U BE B u f i | U CE 增大，特性曲线右移；当 U CE 1V 后，曲线基本不变化 I C (mA ) 1 2 3 4 U CE (V) 3 6 9 12 I B =0 20 ? A 40 ? A 60 ? A 80 ? A 100 ? A 此区域 ( 截止区 ) I B =0, I C = I CEO ≈0 , U BE 开启电压 2. 输出特性 ? ? 常数 ? ? B I CE C u f i |