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低压大电流直直变换器的设计 低压大电流直直变换器的设计 类别：电源技术 摘要：随着计算机、通信技术、以及汽车工业的发展 , 低电压大电 流开关电源成为目前一个重要的研究课题。本文介绍了一种利用推挽方式与同 步整流技术而设计的一个输入直流电压为 12V,输出电压为24V、输出电流为 12A的直直变换器，该电源可将普通发电机发的电转变为车载系统所需电源。 1. 引言 开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关晶体管开通和关断的 时间比率，维持稳定 输出电压的一种电源。从上世纪 90年代以来开关电源相 继进入各种电子、电器设备领域，计 算机、程控交换机、通讯、电子检测设备 电源、控制设备电源等都已广泛地使用了开关电源。 随着电源技术的发展，低 电压，大电流的开关电源因其技术含量高，应用广，越来越受到人 们重视。在 开关电源中，正激式和反激式有电路拓扑结构简单，输入输出电气隔离等优 点， 广泛应用于中小功率电源变换场合。与正、反激式相比，推挽式变换器变 压器利用率高，输 出功率较大，而且由于使用 M0S管,基本不存在励磁不平衡 的现象。因此，一般认为推挽式变 换器适用于低压，大电流，功率较大的场 合。 2. 基本推挽变换技术 推挽式直直变换器的电路结构如图 1(a) 所示, 波形如图 1 (b )所示。推挽式逆变器将直 流电压变换为交流方波加在高 频变压器的原边，在隔离变压器的副边只有一个二极管压降。 当开关管 1 S 导通时，二极管 1 D 承受正压而导通，而 2 D 由于反向偏置而截止；因此， 3 电路的设计 3.1 主电路的设计 开关电源的主电路拓扑结构如图 2 所示，详细参数如下：输入电压为 12(1 ± 10% )V，输 出电压为24V,输出电流 为12A,工作频率为33kHz。主电路采用的是推挽型电路，主开关管 用的是 IRFP064N,在主电路上输入端有两个1000uF/50V并联的输入滤波电容，在输入 的电路 的正级接有一个 2.2uH 的输入滤波电感(电感取值与输出滤波电感一 样)。电路中变压器的 设计跟一般变换器所用变压器设计类似，只需注意绕线 方式和铜线选择，由于本变换器的电 流过大，故采用多股细线并绕的方式。 在输出端用的是同步整流技术，在低电压大电流功率变换器中，若采用传统的 普通二 极管或肖特基二极管整流由于其正向导通压降大 (低压硅二极管正向压 降约0.7V，肖特基二 极管正向压降约0.45V，新型低电压肖特基二极管可达 0.32V) ，整流损耗成为变换器的主要 损耗，无法满足低电压大电流开关电源高 效率，小体积的需要。MOSFE导通时的伏安特性为 一线性电阻，称为通态电 阻RDS，低压MOSFE新器件的通态电阻很小，如：IRF2807(75V,82A)、 IRL2910(100V,55A)通态电阻分别为 0.013 Q、0.O26Q，它们在通过 20A电流 时，通态压降不到0.2V。另外，功率MOSFE开关时间短，输入阻抗高，这些 特点使得MOSFE成为低电压大电流功率变换器首选整流器件。 MOSFE的 栅-源问的硅氧化层耐压有限，一旦 被击穿则永久损坏，所以实际上栅 - 源电压 最大值在50-75V之间，如电压超过75V,应该在栅极上接稳压管.并从成本综 合考虑，选用IRF2807。需要特别指出的是图中 MOST做为整流 管的接法, 有，有些读者可能会认为接法有误，这是由于普通的参考用书没有描述电力 MOSFE的正栅压反向输出特性。实际上，电力 MOSFE除需要介绍非饱和区、 饱和区和截 止区外，还应考虑反向电阻区，反向电阻区与正向电阻区有相类似 的沟道特性。这是由于变 压器二次侧电压为交变方波，整流管要承受反压但电 力MOSFE是逆导器件，若工作在正向 电阻区将无法整流。 在电压输出部 分，使用了 LC滤波电路，电感电容参数是根据 LC滤波中K式滤波器滤波 特性 曲线及计算公式计算出来的，并在实验后做了调整。（K式滤波是指串臂阻抗和 并臂阻抗 的乘积是一个不随频率变化的常数，量纲为电阻） 3.2 控制电 路的设计 控制电路选用SG3525芯片，它是美国硅通用半导体公司 （Silicon General ）推出的用 于驱动N沟道功率MOSFE的电流控制型PWMI 制器，它具有很高的温度稳定性和较低的噪声等 级，具有欠压保护和外部封锁 功能，能方便地实现过压过流保护，能输出两路波形一致、相 位差为 180°的 pwM!号，有效地减少输出电流的纹波，适合于推挽拓扑电路。从控制芯片 SG3525出来的两路控制信号分别用来控制一个 IRFP064N达到了驱动两个开关 管的目的 , 且 二者电流方向相反。 控制电路使用了闭环控制方式令输出电 压保持恒定，由检测到的电压经过光耦隔离后传 到SG3525与一个标准值进