(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案.docVIP

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在 N 型半导体中，多数载流子是 ；在 P 型半导体中，多数载流子 是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合， 可以在信号源与负载之间接入 （共 射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入 ____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为 _________、 _________、 _________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图 2-3 所示，其类型为 ( )场效应管。 A P 沟道增强型 MOS 型 B P 沟道耗尽型 MOS 型 C N 沟道增强型 MOS 型 D N 沟道耗尽型 MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 - 1 - D2 R8V - Ui B=50 Re1 Re2 - 15V Rf + + - 15V 8V - 图2-2 Re1 Re2 图2-5 + 图2-1 + 图2-1 图2-2 图2-5 Ucc Ucc Rb1 Ucc Ucc Rc id Rb1 C2 Rc C1 id Ugs+1 C1 C2 Ugs+1 0 0 -1 C1 C1 Rs Re1 RL -1 Rs -2 -2 Ubs L C2 L Re1 RL Rb2 Ubs C2 us Rb2 us 0 Re2 Ce 0 Re2 Ce 图2-3 图2-3 图2-6 图2-6 图2-4 图2-4 2－ 10 图 4、有一R晶体管接在放大电路中， 今测得它的各极对地电位分别为 V 1＝ -4Ｖ，V 2＝ -1.2Ｖ， R 2R ）。 V3 ＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ 2R +1 R A- 1：ｅ、 2：+ Uo2 R Uo4 +1 R ｂ、 3：ｃ B-R1：ｃ、 2：e、3：ｂ + A1 Uo1 A2 + Uo2 A4 + Uo4 - - + - + R + - R + 5、集成运放中间级的作用是（ 2R ）。 R 2R Uo R 2R Uo A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 +2 C R 2R - - +4 R A3 +2 R + Uo3 2-6 所示振荡电路中（ ）发生振荡。 +4 R A3 Uo3 A 可能 R B+ 不能 图3-1 ）的值。 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ A 差 R C 算术平均 B 和 图3-1 U ＝24V ，设二极管为 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值 理想二极管，用直流电压表测得 RL 的电压值约为 2 。 ，问电路的现象是 ( ) A 正常工作情况 B R 开路 21.6V C C 开路 L D 一个二极管和 C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图 2-10 所示电路中二极管 D1、D2 为理想二极管，判断它们是导通还是截止？ （ ） A D1 导通， D2 导通 B D1 导通， D2 截止 C D1 截止， D2 导通 D D1 截止， D2 截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与 源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替 Re 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为 NPN 管或都为 PNP 管时）才能组成复合 管。 ）7、RC 桥式振荡电路只要 R ≤2R就能产生自激振荡。 （ ｆ １ （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： - 2 - 1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。 2）电阻 R3 和二级管 D1、D2 的作用是什么？ 3）静态时 T4 管射级电位 UE4 =？负载电流 IL =？ 4）动态时，若输出 VO 出现正负半周衔接不