专升本《模拟电子技术》试卷复习课程.docxVIP

此文档仅供收集于网络，如有侵权请联系网站删除 [ 试题分类 ]: 专升本《模拟电子技术》 [ 题型 ]: 单选 [ 分数 ]:2 1.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 ( )。 电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.晶体管结电容不确定性 答案 :C 2.稳压二极管的有效工作区是 ( )。 正向导通区 B.反向击穿区 C.反向截止区 D.死区 答案 :B 3.如果在 PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工 作状态为 ( )。 放大状态 B.微导通状态 C.截止状态 D.饱和状态 答案 :D 4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 ( )。 便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 D.不易制作大阻值的电阻 答案 :C 5.用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的 ( )。 抑制共模信号能力增强 只供学习与交流 此文档仅供收集于网络，如有侵权请联系网站删除 B.差模放大倍数数值增大 C.差模输入电阻增大 D.差模输出电阻增大 答案 :A 6.半导体中 PN 结的形成主要是由于（ ）生产的。 A. N 区自由电子向 P 区的扩散运动 B. N 区自由电子向 P 区的漂移运动 C. P 区自由电子向 N 区的扩散运动 D. P 区自由电子向 N 区的漂移运动