电子电路分析与实践 项目任务书 1-3 电子教案.doc

电子电路分析与实践 PAGE PAGE 16 项目1：简易充电器电路的分析、组装与调试 一、教学目标 1．能运用所学知识对简易充电器电路进行分析； 2．能运用印制电路板（万能板）、电子元件进行简易充电器电路的组装； 3．借助常用电工电子仪器仪表对简易充电器电路进行调试； 4．初步具有电子电路原理图的识图和绘图能力； 5．初步具有简单电子电路的分析、组装和评估能力。 二、问题导入 1. 简易充电器功能 充电器在日常生活中是一种应用非常广泛的器件，很多电子产品的使用都需要用到充电器。如手机、笔记本电脑、电池充电器等。 常用的简易充电器原理图如图1.1所示。 、 图1.1简易充电器原理图 充电器实物如图1.2所示。 图1.2简易充电器实物图 2．问题导入 1）充电器可用于什么场所？ 2）充电器电路有哪些电子元器件组成？ 3）充电器电路是如何组成的？ 4）充电器电路有什么特点？ 5）充电器性能的好坏如何确定？ 三、相关知识点 1.半导体基础知识 1）．半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。常用的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）、 硒（Se）和砷化镓（GaAs）等。 2）．本征半导体： 纯净的不含任何杂质、晶体结构排列整齐的半导体。 3）．半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。 4）．空穴产生：价电子获得能量挣脱原子核吸引和共价键束缚后留下的空位，空穴带正电。 5）．半导体的特性如表1.1。 表1.1半导体的特性 2、二极管的结构、类型、电路符号 1）．通过一定的生产工艺把半导体的P区和N区部分结合在一起，则它们的交界处就会形成一个具有单向导电性的薄层，称为PN结。 2）．以PN结为管芯，在P区和N区均接上电极引线，并以外壳封装，就制成了半导体二极管，简称二极管。 3）．二极管电路符号：箭头方向表示二极管导通时的电流方向。 图1.3 二极管内部结构示意图和电路符号 a)内部结构 b)电路符号 4）二极管的分类 (1)按所用材料不同划分：硅管和锗管； (2)按制造工艺不同划分： ①点接触型：结电容很小，允许通过的电流也很小（几十毫安以下），适用于高频检波、变频、高频振荡等场合。2AP系列和2AK系列； ②面接触型：允许通过的电流较大，结电容也大，工作频率较低，用作整流器件。如国产硅二极管2CP和2CZ系列； ③硅平面型，2CK系列开关管。 图1.4 二极管结构 a) 点接触型 b)硅面接触型 c)硅平面型 5）．国产半导体器件命名方法图1.5。 图1.5国产半导体器件命名方法 2AP9：“2”表示电极数为2；“A”表示N型锗材，“P”表示普通管，“9”表示序号。 3、 二极管的伏安特性 1）二极管的单向导电性 图1.6(a)中的开关闭合，灯亮，大电流（正向电流），二极管导通；图1.6(b)开关闭合，灯不亮，电流几乎为零（反向饱和电流），二极管截止。 图1.6 半导体二极管单向导电性实验 a)二极管正向偏置 b)二极管反向偏置 二极管阳极电位高于阴极电位，称为二极管(PN结)正向偏置，简称正偏；二极管阳极电位低于阴极电位，称为二极管(PN结)反向偏置，简称反偏。 二极管正偏导通，反偏截止的这种特性称为单向导电性； 2）二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线如图1.7所示，分为三部分： 图1.7 半导体二极管(硅管)伏安特性 正向特性： ①OA段为死区，此时正偏电压称为死区电压Uth（又称阈值电压或门槛电压），硅管0.5V，锗管0.1V。 ②AB段为缓冲区。 ③BC段为正向导通区。u稍增大，正向电流显著增加。当u≥Uth时，二极管才处于完全导通状态，导通电压UF基本不变。硅管为0.7~0.8V,一般取0.7V，锗管为0.2~0.3V，通常取0.2V。当二极管为理想二极管时，UF=0。 反向特性： 如图OD段所示，二极管处于截止状态，在电路中相当于开关处于关断状态。反向电流基本上不随反向偏置电压的变化而变化。 反向击穿特性：反向电流在E处急剧上升，这种现象称之为反向击穿，此时所对应的电压为反向击穿电压UBR。对于非特殊要求的二极管，反向击穿时会使二极管PN结过热而损坏。 4.温度对二极管特性的影响 1）温度升高1℃，硅和锗二极管导通时的正向压降UF将减小2.5mv左右。 2）温度每升高10℃，反向电流IS增加约一倍。 3）温度升高，反向击穿电压UBR下降。 5.二极管主要参数 1）最大整流电流IF IF是指二极管长期运行时允许通过的最大正向直流电流。IF与PN结的材料、面积及散热条件有关。大功率二极管使用时，一般要加散热片。在实际使用时，流过二极管最大平均电流不能超过IF，否则二极管会因过热而损坏。 2）最高反向工作电压URM（反