学习版曝光原理与曝光机.pptVIP

* Electroless copper = 沈銅、化學銅 Electroplated metal etch resist = 錫鉛? Etching 時，受錫鉛cover的Cu不受側蝕影響? Dielectric層應導電? * Coating ：方式不同，對曝光的影響? Vacuum：所有exposure皆需要? * GHI? 能量分佈 = 實際形狀? 抽真空貼合：玻璃 – 底片? 底片 – mylar? 感光層、保護膜 – 底片? * * OH- 無法進入，如何stripping? 顯像 Na2CO3 + 剝膜 NaOH * 聚合反應速率：配方、塗佈厚度、UV照度、UV光源發射光譜分佈 ???? UV累積(exposure energy / time)：線性? * timing of using inhibitor? toe? * 使用對象? * Mylar = photoresist? = PE Acrylic Based, Epoxy Based * 負性-殘足，正性-散射光-基底過窄? 正性：正片流程? * Liquid photoresist: 0.8mil (20um) / 8~12um = solder mask / inner? 二液型? Acrylic Based, Epoxy Based * Source相同，反射物不同? * 電壓 功率 精密 價格 光源 水銀燈 || /\ || || 散射 汞氙燈 || || || || 平行 毛細燈 \/ || \/ \/ 散射? * Y axis unit： Filter後之效果比較： * UV 均勻分佈? P.36 * Scattered light = flood? * Undercutting ray = CHA + DA? solution? * Reflection mirror: opposite side? 電路板曝光所使用的大面積平行光系統，是應用拋物面反射的原理，首先使用橢圓集光器聚集由汞氙短弧燈點光源所發出的光線 集光後所產生的光柱，經冷光鏡反射去除掉大部分紅外線及可見光的熱能後 再使用光學積光器修正並消除光柱中角度過大的光線，使成為平行反射鏡焦點上的虛擬點光源 經平行反射鏡反射後照射到曝光檯面上的UV光就是平行光 * 均勻分佈? Limit cells? 有效區域：550 * 650 * 高平行度光：斜射角1.5°，平行半角1.5° 平行半角：小孔相機? * Highest what? High-Low / High+Low? Atan ( A / L )?? 乾膜基本要求±10%? 5kW：80%? * 使用中? * 目的：決定最佳曝光能量? 每次曝光前皆需量測? * OD 0.15 = 41%透光率? 第1格：入射光 = 穿透光? * 课件 曝光對乾膜結構的變化 课件 線路曝光作業的考量因素 反應特性 聚合反應速率與配方、塗佈厚度、UV照度及UV光源發射光譜分佈等有關。 聚合反應中能量的累積是持續性的，反應開始後如因故UV照射受干擾而中斷時，將導致反應不完全。 聚合反應中應儘量隔絕氧氣的接觸，因氧的活性大，會抑制其它自由基的聯結，降低聚合反應速率。 作業要求 提高光阻與銅面附著力 曝光顯像後光阻側壁垂直且殘足短 達到最佳光阻解析能力 曝光能量↓ 時，解析度↑ 曝光能量↑時，聚合效果及抗化性↑ 達到光阻最佳工作區間 →準確的能量控制 Off Contact↑時，解析度↓ →提高底片與板面真空密貼程度 课件 能量對光阻聚合影響 起始階段 部分聚合階段 完全聚合階段 课件 课件 曝光能量與最佳解析度關係 以乾膜曝光而言，為得到最佳乾膜解析能力，曝光能量約有?10% 的容許區間，這也是對能量均勻度的基本要求 當線路愈細及線寬公差要求愈嚴時，對均勻度的要求應更嚴格 课件 曝光方式與吸真空 Hard Contact Exposure – 硬式接觸曝光 底片與板面密貼且吸真空 吸真空時在表面產生彩色牛頓環，紋路愈密表示底片與板面密貼程度愈佳 散射光要吸真空 Soft Contact Exposure – 軟式接觸曝光 底片與板面密貼但不吸真空或只輕微吸真空 Off Contact Exposure – 非接觸曝光 底片與板面間有距離不接觸，不能吸真空 Projection Exposure – 投影曝光 鏡組將線路影像聚焦在板面上，不能吸真空 课件 乾膜光阻 乾膜光阻 Dry Film Photoresist Mylar蓋膜(聚烯 Polyester/PET) + 光阻 Photoresist + PE分隔膜(聚乙烯 Polyethylene/PE) Myla