堇青石基微波介质陶瓷的制备及性能研究.pdfVIP

摘要 摘 要 随着微波通信逐步往高频化方向发展，保障器件在高频下的工作性能与集成 化显得尤为重要。这对微波介质陶瓷提出了更高的要求，即更高的工作稳定性，更 低的介电损耗。堇青石 （Mg Al Si O ）微波介质陶瓷成本低廉、微波介电性能优 2 4 5 18 异，具有良好的应用前景。本文通过固相法制备Mg Al Si O 陶瓷，研究了制备工 2 4 5 18 艺、掺杂改性等对材料微观结构和微波介电性能的影响。 采用控制变量法探究 Mg Al Si O 陶瓷的制备工艺。研究了预烧温度和烧结 2 4 5 18 温度对陶瓷微观结构和微波性能的影响，以及其他工艺对陶瓷品质因数的影响。通 过改善 Mg Al Si O 陶瓷的制备工艺，使微波介电性能获得一定的提升：Q × 2 4 5 18 f 52314 GHz ，ε 4.86 ，τ -28 ppm/ ℃。 r f 研究了MgO 含量对Al Si O 第二相的抑制作用。通过增加MgO 的含量，有 6 2 13 效抑制了Al Si O 第二相的生成，获得单相堇青石陶瓷。添加MgO 还可以改善陶 6 2 13 瓷的微观结构，提高粒的均匀性。通过消除Al Si O 第二相，显著提升了陶瓷的 6 2 13 品质因数。在MgO 过量0.2mol 处获得了最佳的微波介电性能：ε =5.18 ，Q×f =86374 r GHz ，τ −27 ppm/ ℃。 f 采用添加TiO 的方式，调节Mg Al Si O 的谐振频率温度系数。实验结果 2 2.2 4 5 18.2 表明，TiO 可以与 Mg Al Si O 形成固溶体，提高陶瓷的致密度，同时析出的 2 2.2 4 5 18.2 金红石相能有效的调节Mg Al Si O 陶瓷的频率温度系数。当TiO 含量为6 wt .% 2.2 4 5 18.2 2 时，陶瓷兼具高品质因数和高温度稳定性，其微波介电性能为 Q ×f 68264 GHz ， ε 5.56，τ -9.95 ppm/ ℃。在TiO 含量为8 wt .%时，陶瓷具有近零的谐振频率温 r f 2 度系数τ = -3.62 ppm/ ℃，Q ×f 56626 GHz ，ε 5.84 。 f