深亚微米工艺下抗辐照数字集成电路研究.pdfVIP

摘要 摘 要 随着集成电路工艺的迅速发展，芯片功能越来越复杂，空间环境、工业环境等 产生的辐射对半导体器件及电路系统产生影响，并且可能导致器件和电路系统的 失效，器件的辐射效应备受关注。为了保证数字集成电路在辐射环境中的可靠性和 性能，必须不断地发展抗辐照加固技术。 在深亚微米和纳米尺度的半导体领域，单粒子效应成为数字器件最受关注的 可靠性问题之一。本文基于脉冲激光试验平台，对 28nm 双阱和三阱工艺的移位寄 存电路进行了单粒子效应模拟实验，利用 TCAD 器件仿真软件分析了 130nm 工艺 下三阱 （深n 阱）结构的单粒子瞬态效应，对于加固三阱器件抑制寄生双极放大效 应的几种措施进行了仿真验证，具体包括： 1. 使用某工厂 28nm 工艺，设计、流片了移位寄存器链并用于替代 SRAM 存 储器进行单粒子效应试验，通过设置了对照组，结果显示使用三阱工艺替代双阱将 导致单粒子翻转阈值降低，软错误率升高。 2. 使用三维 TCAD 器件仿真模拟了 130nm 三阱工艺 NMOS 的单粒子瞬态效 应，通过以不同线性能量转移值的重离子入射观察对应的单粒子瞬态脉冲，研究发 现三阱工艺 NMOS 管存在显著的寄生双极放大效应。研究发现掺杂浓度较高、深 度较小的深 n 阱对寄生双极放大效应的增强作用，研究发现轰击器件漏极且入射 方向朝着源极的单粒子产生的寄生效应和 SET 最强。结果显示 PMOS 添加深 n 阱 后降低PMOS 阱电阻，从而获得一定加固效果。 3. 仿真加固作用显示提高 p 阱接触面积相比于调整阱接触位置、源极加正偏 压相比于衬底加负偏压更能减弱寄生效应和单粒子瞬态效应，提高阱掺杂浓度同 样可以减少漏极的电荷收集。讨论了一种有效的 P+条形掺杂加固技术，结果显示 加固后单粒子瞬态脉冲宽度降低了约 56%，电荷收集降低了 61%左右。 本文通过 60Co-γ 射线源对 28nm 体硅NMOS 器件进行了累积剂量约 2Mrad(Si) 的总剂量辐照实验，结果显示包括阈值电压 VTH 、导通电流 Ion 、亚阈区摆幅的退 化很小，阈值电压漂移和 STI 侧壁电荷使截止漏电流上升了 2 个数量级，同时栅 极电流增长趋势与氧化层固定陷阱、以及阈值电压漂移存在一致的关系。 关键词：单粒子效应，三阱工艺，脉冲激光，加固技术，总剂量效应 I ABSTRACT ABSTRACT With the rapid development of integrated circuit technology, integrated circuits functions are becoming more and more complex. Radiation generated by space and industrial environment will affect semiconductor devices and circuit systems, and may cause the failure of devices and circuit systems. The radiation effects of devices are highly affected attention. In order to ensure the reliability and performance of digital IC in a radiant environment, it is necessary to continuously develop radiation hardening technology. In the field of micron and nanoscale semiconductors, the single-event effect has become one of the mos