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- 2020-11-03 发布于四川
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第二章 变频器常用电力电子器件; 2. 伏安特性; 2.1.2 主要参数; 2.1.3 功率二极管的选用 ; 2.1.4 功率二极管的分类 ; 2.2 晶闸管(SCR) ;晶闸管的外形及符号 ; 2.2.2 晶闸管的导通和关断控制 ; 2.2.3 晶闸管的阳极伏安特性 ; 2.2.4 晶闸管的参数 ;2.2.5 晶闸管的门极伏安特性及主要参数; 2. 门极主要参数 ; 2.2.6 晶闸管触发电路; 2. 触发电路的分类 ; 2.2.7 晶闸管的保护 ;2. 晶闸管过电压保护 ;交流侧接入阻容吸收电路的几种方法 ; 2.3 门极可关断晶闸管(GTO) ;2.3.2 GTO的主要参数 ; 2.3.3 GTO的门极控制; 2.3.4 GTO的缓冲电路 ; 2.4 功率晶体管(GTR) ; 2.4.2 GTR的参数 ;2.4.3 二次击穿现象;2.4.4 GTR的驱动电路 ;2.4.5 GTR的缓冲电路;2.5 功率场效应晶体管(P-MOSFET) ;2.5.2 P-MOSFET的工作原理 ; 2.5.3 P-MOSFET的特性 ; 3. 开关特性 ;2.5.4 P-MOSFET的主要参数 ;2.5.5 P-MOSFET的栅极驱动 ;2.5.6 P-MOSFET的保护 ;2.6 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ;2.6.2 IGBT的基本特性 ;2.6.3 IGB
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