二维层状半导体异质结的气相合成与光电器件研究.pdfVIP

博士学位论文 摘 要 在21 世纪的今天，人工智能、5G 通信、云计算、大数据和物联网等新兴技术 应运而生，这些最新科技的未来无一例外都离不开半导体集成电路产业的繁荣发 展。在过去几十年间，集成电路的发展一直遵循着摩尔定律，当晶体管的特征尺寸 随时间缩小到几纳米，从物理尺寸上来说已然逼近摩尔定律的极限。在后摩尔时 代，搞清楚要研发何种新型的半导体材料，如何获得具有高性能的器件越来越成 为推动集成电路产业发展的关键，牵动着学术界和产业界的心弦。 发轫于对石墨烯的研究，同样具有层状结构的二维半导体由于其超薄的物理 尺寸，新奇的结构性质以及优异的光电子性能，受到了学者们的重点关注。二维层 状半导体材料更被认为是集成电路产业即将进入后摩尔时代的续命救星，具有巨 大的研究价值和应用价值。特别是，当不同种类的二维半导体材料通过范德华力 组装在一起形成异质结，不仅能够发挥各组分材料的优异特性，还引入了异质结 界面，可以实现晶体管、探测器、存储器、激光器和发光二极管等多种多样的器件 应用，被认为是下一代集成光电子应用中不可或缺的重要组成单元。既然二维层 状半导体异质结如此重要，在这个研究领域内一个重要的工作就是如何获得高质 量高性能的有应用潜力的二维异质结材料。 有鉴于此，本论文采用改进的化学气相沉积技术，生长了多种超薄的新型二 维层状半导体和异质结构。成功制备出了大尺寸高质量的二维p-n 结，再通过微纳 加工技术构建了多种原型器件，探究了异质结的形成对其器件性能的影响。本文 还从器件性能的角度出发，倒推选择材料，引入具有优异光吸收性能的钙钛矿，设 计并制备了高质量超薄的钙钛矿异质结，探究了钙钛矿层数的变化对异质结界面 的载流子行为的影响，并最终实现了超高性能的光电探测应用。主要代表性研究 成果归纳如下： （1）采用两步化学气相沉积的方法，在单层 WSe 上外延生长了单层的 SnS ， 2 2 实现了二维超薄 WSe /SnS 垂直异质结的直接生长，三角形异质结的边长最大可 2 2 达 835 μm ，代表了当时的最大尺寸。透射电镜的结果证实了异质结样品具有高结 晶性，且异质结区域观察到了莫尔条纹，选区电子衍射发现两套不同的六方电子 花样，计算发现异质结的晶格失配达到 14.3%，证实了异质结是通过范德华外延生 长的机制而得到的。原子力显微镜的结果清晰地说明是单层的 SnS2 堆垛在单层的 WSe2 上形成的垂直异质结。当 488 nm 的激光照射在异质结区域，观察到由层间 的电荷转移导致的荧光淬灭现象。 （2 ）基于得到的大尺寸WSe /SnS 异质结，设计制作了多电极的背栅晶体管器 2 2 件，在同一个样品上获得了三类不同的器件，分别是纯WSe2 器件，并联模式器件 II 二维层状半导体异质结的气相合成与光电器件研究 和混连模式器件。晶体管的表征发现纯WSe2 器件呈现p 型导电特性，载流子迁移 2 - 1 - 1 率为 0.02 cm V s ；并联模式的器件呈现出双极性的特征，其中的电子导电部分 来自于上面的 n 型 SnS ，很好地证实了WSe /SnS 是一个垂直的p -n 结，此外， 2 2 2 2 - 1 - 1 由于异质结的存在，该器件的载流子迁移率达到10.1 cm V s ，高出纯WSe2 器件 三个数量级；混连模式的异质结器件拥有最低的漏电流（10- 14 A ），得到了107 的 高开关比，较