MATLAB刻蚀工艺模拟仿真___副本.docxVIP

.word .word可编辑. 专业 专业.专注 目录 第一章课程总目标 1 1.1 Si刻蚀的物理 化学基础 1 1.2模拟工艺 2 1.2模拟工艺 2 第二章软件模拟刻蚀工艺设计顺序1 2 TOC \o 1-5 \h \z \o Current Document 2.1顺序1的目标1 2 \o Current Document 2.2顺序1的目标2 .6. \o Current Document 2.2.1 4+1 反应模型 6. \o Current Document 2.2.2发射角的解决办法 7. \o Current Document 第三章软件模拟刻蚀工艺设计顺序2 1.3 \o Current Document 3.1入射角度考量 1.4 \o Current Document 第四章软件模拟刻蚀工艺设计顺序3 1.6 \o Current Document 4.1考虑反应系数的刻蚀 17 \o Current Document 第五章软件模拟刻蚀工艺设计顺序4 1.9 \o Current Document 4.1反应性离子刻蚀 20 结束语： 错误!..未定义书签。 4.2自发脱离反应概率调整 27 4.2自发脱离反应概率调整 .word .word可编辑. 第一章课程总目标 在集成电路工艺飞速发展的现代，半导体工艺过程依然是复杂与昂贵。作为电子科学与技术专 业的研究生依然有必要对半导体工艺有一定的了解与认识 。通过课程的学习，掌握一定的集成电路 工艺的原理与过程。尝试通过计算机模拟的方式，模拟半导体工艺中的刻蚀工艺。 整个课程分五阶段，从简单到复杂，使用Matlab软件进行模拟，越来越接近真实的工艺效果 在此过程中，对刻蚀工艺认识更深刻。同时对编程有更深层的认识，更好的完成模拟工作。 1.1 Si刻蚀的物理 化学基础 Si的刻蚀原理 化学反应 SiCl3(s) +Cl(g)T SiCl4(g) 脱离 Ion溅射 SiClx(s)T C|+t Si(g)+xCl(g) (x=0~4 ) Ion刻蚀 SiClx(s)T Cl +t SiClx(g) (x=1~4) Ion刻蚀+溅射 SiClx(s)T d SiClz)(g) + yCI(g) (x=0~4 ) (y=0~4) 其中：（S）表示反应表面，（g）表示气体】 整个刻蚀工艺，活性种与硅结合，形成四氯化硅后可能自发脱离，也可能被氯离子撞击脱离， 从而完成刻蚀过程。氯离子具有一定速度，有一定几率直接通过撞击将硅溅射出来。所以整个刻蚀 过程是化学反应与离子刻蚀，离子溅射的多重复合且同时发生的复杂过程 。 . 专业专注 .word .word可编辑. 专业 专业.专注 1.2模拟工艺 我们通过从简单到复杂的方法，把最终目标分割成四个小的问题你，按顺序一步步完成相应的要 求，逐渐逼近真实的刻蚀工艺。 第二章软件模拟刻蚀工艺设计顺序1 2.1顺序1的目标1 掩膜的开口宽度为露出10个Si原子。 只有活性种入射，且为垂直入射。 只要活性种到达Si原子处即和该原子结合。 达到SiCI4, Si原子就脱离表面。 计算有1000个活性种入射后，衬底表面的图形。 本程序采用显示与数据分离的设计，这样在处理数据时，能较好的与图形显示隔离，便于程序 的修改和管理。数据保存在Si阵列中，图形显示用S_image表示。 CI 发射源为［emission_x,emission_y］其中 emission_x = 30+rand(1)*10; 表示 Cl 原子在开口宽度 内均匀发射。 主程序如下： clear all clc %% %定义一个Si原子 Si_class = struct( existflag ,true,CountCI ,0); global Si; Si = repmat(Si_class,70,100); %造出 70x100 的 Si 阵列 for in dex_j = 1:30 for in dex_i = 1:70 falseSi(index_i,index_j).existflag= false; %某一点 Si 不存在时，existflag 标志位将会被置为 end false end%只有y=31的时候才有Si存在 %% % 将定义Cl原子的特性 global Px Py ; %当前Cl原子所在坐标 global S」mage; S」m age = on es(70,100); S」mage(1:30,1:30) = 40; %光刻胶 S」mage(31:40,1:30) = 25; %真空颜色 S」mage(41:70,1:30) = 40; %光刻胶 emissi on_y = 1; S