巨磁电阻效应及其应用实验报告.pdfVIP

. 巨磁电阻效应及其应用 【实验目的】 1、 了解 GMR效应的原理 2、 测量 GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线 3、 测量 GMR的磁阻特性曲线 4、 用 GMR传感器测量电流 5、 用 GMR梯度传感器测量齿轮的角位移，了解 GMR转速（速度）传感器的原理 【实验原理】 根据导电的微观机理， 电子在导电时并不是沿电场直线前进， 而是不断和晶格中的原子 产生碰撞（又称散射） ，每次散射后电子都会改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向 加速与这种无规散射运动的叠加。 称电子在两次散射之间走过的平均路程为平均自由程， 电 子散射几率小，则平均自由程长，电阻率低。电阻定律 R= l/S 中，把电阻率 视为常数， 与材料的几何尺度无关， 这是因为通常材料的几何尺度远大于电子的平均自由程 （例如铜中 电子的平均自由程约 34nm），可以忽略边界效应。当材料的几何尺度小到纳米量级，只有几 个原子的厚度时 （例如，铜原子的直径约为 0.3nm ），电子在边界上的散射几率大大增加，可 以明显观察到厚度减小，电阻率增加的现象。 电子除携带电荷外， 还具有自旋特性， 自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向。 早在 1936年，英国物理学家，诺贝尔奖获得者 N.F.Mott 指出， 在过渡金属中， 自旋磁矩与材 料的磁场方向平行的电子，所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电子。 总电流是两类自旋电流之和 ; 总电阻是两类自旋电流的并联电阻， 这就是所谓的两电流模型。 在图 2所示的多层膜结构中，无外磁场时，上下两层磁性材料是反平行（反铁磁）耦合 的。施加足够强的外磁场后， 两层铁磁膜的方向都与外磁场方向一致， 外磁场使两层铁磁膜 从反平行耦合变成了平行耦合。电流的方向在多数应用中是平行于膜面的。 无外磁场时顶层磁场方向 电 阻 \ 顶层铁磁膜 欧 姆 中间导电层 底层铁磁膜 无外磁场时底层磁场方向 磁场强度 / 高斯 图 2 多层膜 GMR 结构图 图 3 某种 GMR 材料的磁阻特性 图3是图 2结构的某种 GMR材料的磁阻特性。 由图可见， 随着外磁场增大， 电阻逐渐减小， 其间有一段线性区域。 当外磁场已使两铁磁膜完全平行耦合后， 继续加大磁场， 电阻不再减 小，进入磁饱和区域。 磁阻变化率 ΔR/R 达百分之十几， 加反向磁场时磁阻特性是对称的。 注意到图 2中的曲线有两条，分别对应增大磁场和减小磁场时的磁阻特性，这是因为铁磁材 料都具有磁滞特性。 1 / 10 . 有两类与自旋相关的散射对巨磁电阻效应有贡献。 其