半导体材料与工艺之多晶硅锭定向凝固生长方法 .pptxVIP

多晶硅锭定向凝固生长方法;实现多晶硅定向凝固生长的四种方法： 布里曼法 热交换法 电磁铸锭法 浇铸法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.1 铸锭浇注法;8.5.2 定向凝固法; 定向凝固柱状晶生长示意图; 多晶硅锭的柱状晶结构;一般来说，纯金属通过定向凝固，可获得平面前沿，即随着凝固进行，整个平面向前推进，但随着溶质浓度的提高，由平面前沿转到柱状。 对于金属，由于各表面自由能一样，生长的柱状晶取向直，无分叉。 而硅由于是小平面相，不同晶面自由能不相同，表面自由能最低的晶面会优先生长，特别是由于杂质的存在，晶面吸附杂质改变了表面自由能，所以多晶硅柱状晶生长方向不如金属的直，且伴有分叉。 ;8.5.2 定向凝固法;布里曼法（Bridgeman Method） 这是一种经典的较早的定向凝固方法。 特点： 坩埚和热源在凝固开始时作相对位移，分液相区和凝固区，液相区和凝固区用隔热板隔开。 液固界面交界处的温度梯度必须0，即dT/dx0，温度梯度接近于常数。 ;长晶速度受工作台下移速度及冷却水流量控制，长晶速度接近于常数，长晶速度可以调节。 硅锭高度主要受设备及坩埚高度限制。 生长速度约0.8-1.0mm/分。 缺点：炉子结构比热交换法复杂，坩埚需升降且下降速度必须平稳，其次坩埚底部需水冷。 ;