2020第15章平衡状态的半导体.ppt

15.2 本征半导体和杂质半导体 —— p 型半导体 电子运动过程分析 2 Si Si Si Si Si Si Si E C E g ? E A 1 2 3 B E A 运动过程介绍： 1 、 束缚态 ：空穴被束缚在原子（受主能级上） 2 、 杂质（受主）电离 ：受主能级上的空穴吸收了不小于 ? E A 的能量后，发生电离，摆脱 B 原子的束缚 电子科技大学光电信息学院陈德军 3 、 离化态 ：空穴完全摆脱了原子的束缚，在晶体中运动 15.2 本征半导体和杂质半导体 —— p 型半导体 电子运动过程分析 3 E C E g 1 2 3 ? E A E A 1 、由于受主电离能远远小于禁带宽度，所以，受主电离 比本征激发更容易发生 2 、所以 p 型半导体的主要导电机构是价带带正电的空穴， 这也是 p 型半导体名称的来源， 空穴为多数载流子；电子 为少数载流子； p 型杂质的掺入增强了半导体的导电能力 3 、一般来说，受主能级更靠近价带顶 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.2 本征半导体和杂质半导体 —— 类氢模型 硅、锗中掺入三、五族原子形成浅能级时，在束缚态 下，模型与氢模型相似 杂质电离的过程可以近似看成与氢原子束缚电子电离 的过程相似 氢模型与杂质束缚态模型的异同： 束缚 电子 H 原子核 1 、束缚态下的正 ( 负 ) 电中心可 以等效为 H 原子核；二者的束缚 电子夜可以做类似的等效 2 、氢模型中束缚电子脱离氢原子的过 程（电离）可以与杂质电离等效 3 、不同在于，氢原子束缚电子在自由空间中运动，而半导 体杂质束缚的电子在周期场中运动 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.2 本征半导体和杂质半导体 —— 类氢模型 浅能级杂质电离能 —— 类氢模型的讨论 氢模型 施主 能级公式 E m 4 0 q n ? ? 8 ? 2 2 2 0 h n 基态电离 E 0 ? E ? ? E 1 能公式 m 4 修正 m 0 ? m * n ? 0 q 8 ? 2 h 2 ? 0 ? ? ? ? 0 ? r 0 * 4 ? E m n q 杂质电离 D ? 8 ? 2 2 2 能公式 r ? 0 h ? ? m n E 0 15.2.1 见表 m ? 2 0 ? r 电子科技大学光电信息学院陈德军 受主 m * 0 ? m p ? 0 ? ? ? ? 0 ? r m * ? E p q 4 A ? 8 ? 2 ? 2 h 2 r 0 m * ? p E 0 m ? 2 0 ? r 15.2 本征半导体和杂质半导体 —— 类氢模型 浅能级计算 Si 、 Ge 杂质电离能 (eV) Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗晶体中的电离能 (eV) Ⅴ族杂质电离能 Δ E D P 0.044 0.0126 As 0.049 0.0127 Sb 0.039 0.0096 B 0.045 0.01 Ⅲ族杂质电离能 Δ E A Al 0.057 0.01 Ga 0.065 0.011 In 0.16 0.011 晶体 Si Ge 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.2 本征半导体和杂质半导体 —— 杂质补偿 单掺杂的半导体，其极性取决于杂质性质； 杂质补偿：施受同掺，其极性决定于浓度大者 补偿电离比杂质电离更容易发生 不能通过杂质补偿实现本征半导体 施主浓度 N D ?? N A 杂质电离 受主浓度 E C E D N A ?? N D 补偿电离 补偿电离 E V E A 有效杂 质浓度 n ? N D ? N A ? N D 杂质电离 电子科技大学光电信息学院陈德军 p ? N A ? N D ? N A 15.3 热平衡载流子的统计分析 本节将要讨论的问题 1 、平衡非简并半导体的载流子浓度公式 导带顶 体积 电子浓度 / E C n 0 p 0 导带状 态密度 价带状 态密度 空穴浓度 1 n 0 ? ? f ( E ) D C ( E ) dE V E C 1 E V p 0 ? ? / [ 1 ? f ( E )] D V ( E ) dE V E V 价带底 空穴统 计分布 电子统 计分布 2 、平衡非简并半导体的性质分析 对 n 0 、 p 0 的讨论 将讨论本征半导体和杂质半导体 n 0 、 p 0 浓度随温度、掺 杂的变化以及费米能级 E F 的变化等 …… 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.3 热平衡载流子的统计分析 关于平衡状态和非简并的说明 1 、热平衡状态 产生 = 复合 电子空 穴对的 产生 电子空 穴对的 湮灭 动态平衡 2 、非简并状态 载流子浓度不高 状态被电子占 据几率不大 电子科技大学光电信息学院陈德军 状态简并化的 几率不大 15.3 热平衡载流子的统计分析 —— 状态密度 导带底的和价带