薄膜制备工艺与方法.pptVIP

薄膜的制备工艺和方法;2.1 物理气相沉积—真空蒸镀 2.2 溅射成膜 2.3 化学气相沉积（CVD） 2.4 三束技术与薄膜制备;重点 1. 什么叫溅射？影响溅射的主要因素？ 2. 说明溅射的动能转移论。 3. 比较溅射与蒸发的特点。 4. 溅射的主要类型。;溅射 (Sputtering) 是指荷能粒子（如正离子）轰击靶材，使靶材表面原子或原子团逸出的现象。逸出的原子在工件表面形成与靶材表面成份相同的薄膜。这种制备薄膜的方法称为溅射成膜。;如图所示，溅射腔室内充有惰性气体如氩气，在高压下可以电离化。荷正电离子在靶子表??得到加速，它们有足够的能量可以撞击靶子使得其上的原子离开把子材料，其中大多数原子趋向基质材料表面加速，接二连三的撞击、沉积就形成了薄膜。;1853年，Grove就观察到了溅射现象，他发现在气体放电室的器壁上有一层金属沉积物，沉积物的成份与阴极材料的成份完全相同。但当时他并不知道产生这种现象的物理原因。 1902年，Goldstein 才指出产生这种溅射现象的原因是由于阴极受到电离气体中的离子的轰击而引起的，并且他完成了第一个离子束溅射实验。 1960年以后，人们开始重视对溅射现象的研究，其原因是它不仅与带电粒子同固体表面相互作用的各种物理过程直接相关，而且它具有重要的应用，如核聚变反应堆的器壁保护、表面分析技术及薄膜制备等都涉及到溅射现象。;溅射的原子有大的能量，初始原子撞击基质表面即进入几个原子层深度，这有助于薄膜层与基质间的良好附着力。 溅射法的另一个优点是可以改变靶材料产生多种溅射原子，并不破环原有系统，因此可以形成多层薄膜。;溅射法广泛应用在诸如由元素硅、钛、铌、钨、铝、金和银等形成的薄膜； 也可以用于形成包括耐火材料，如碳化物、硼化物和氮化物在金属工具表面形成薄膜； 以及形成软的润滑膜如硫化钼； 还用于光学设备上防太阳光氧化物薄膜等； 相似的设备也可以用于非导电的有机高分子薄膜的制备。; 溅射通常采用的是辉光放电，利用辉光放电时正离子对阴极溅射。当作用于低压气体的电场强度超过某临界值时，将出现气体放电现象。气体放电时在放电空间会产生大量电子和正离子，在极间的电场作用下它们将作迁移运动形成电流。;;低压气体放电是指由于电子获得电场能量，与中性气体原子碰撞引起电离的过程，Townsend 引入三个系数来表征存在的三个电离过程：;设单位时间由阴极表面逸出电子的面密度为 n0，使阴极的电子电流密度 J 为;正离子从阴极向阳极运动过程中，与中性分子碰撞而使分子电离，单位距离由于正离子碰撞产生的电离系数用β 表示。;由于二次电子的发射，增加了阴极附近的电子数量，则阴极的放电电流密度为：;将自持放电条件带入式（2－18）？得;2. 辉光放电;每个区域的特征，自学，p42;(1) 阿斯顿暗区 该区紧靠阴极表面一层，由于电子刚刚从阴极表面逸出，能量较小，还不足以使气体激发电离，所以不发光，但电子在该区可获得激发气体原子所必须的能量。;(3) 克鲁斯暗区 随着电子在电场中获得的能量不断增加，使气体原子产生大量的电离，在该区域内电子的有效激发电离随之减小，发光变得微弱，该区称为克鲁斯暗区。;(5) 法拉第暗区 法拉第暗区即负辉光区至正柱区的中间过渡区，电子在该区内由于加速电场很小，继续维持其低能状态，发光强度较弱。;3. 溅射机制;按这一观点，溅射率是靶材升华热和轰击离子能量的函数，溅射原子成膜应该与蒸发成膜一样呈余弦函数分布。 早期的实验数据支持这一理论。然而进一步的实验证明，上述理论存在严重缺陷，主要由以下几点： (a) 溅射粒子的分布并非余弦规律； (b) 溅射量与入射离子质量和靶材原子质量之比有关; (c) 溅射量取决于入射粒子的方向。;(2) 动量转移理论 动量转移论由 Stark 于 1908 年提出，Compton 于 1934 年完善。这种观点认为，轰击离子对靶材轰击时，与靶材原子发生了弹性碰撞，从而获得了与入射原子相反方向的动量，撞击表面而形成溅射原子。;由于溅射是由碰撞机制产生，因而溅射原子分布不同于蒸发原子的分布，图 2-18 是不同能量 Hg 离子对多晶体钼靶轰击后，不同方向的溅射离子分布。显然，它是非余弦分布。然而，当轰击离子能量增加时，其角度分布逐渐趋于余弦分布。;这里，高能离子与靶材表面原子碰撞，表面原子获得最大能量可以写成 式中，m、ω 分别为高能离子质量与能量。然而应该指出，由于经过多次表面原子的碰撞，真正变成溅射离子的能量要远小于上式的理论值，图 2-19 是溅射离子平均能量与入射离子能量的关系。;可以看出，随着入射离子能量增加，溅射粒子能量也随之增加。当斜入射时，溅射粒子能量更大。一般而言，溅射粒子的能量符合波尔兹曼分布，并且绝大