2020绝缘栅型场效应管.pptVIP

上页 下页 返回 模拟电子技术基础 3.2 绝缘栅型场效应管 N 沟道 IGFET 耗尽型 增强型 P 沟道 N 沟道 P 沟道 绝缘栅型场效应管的类别 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 3.2.1 增强型 MOS 管 g s d N + N + SiO 2 保护层 Al b P 结构示意图 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 P N + s g d N + 以 P 型半导体作衬底 形成两个 PN 结 SiO 2 保护层 引出两个电极 引出栅极 Al 从衬底引出电极 两边扩散两个高 浓度的 N 区 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 SiO 2 保护层 P N + s g d N + Al 故又称为 MOS 管 管子组成 a. 金属 （ M etal) b. 氧化物 ( O xide) c. 半导体 ( S emiconductor) 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 1. 工作原理 电 路 连 接 图 P N + s g d N + – + + – 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 (1) u GS =0 , u DS ≠0 源极和漏极之间始终有一个 PN 结反偏， i D =0 P N + s g N + i D =0 d – + + – 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 P N + s g N + i D =0 d – + + – (2) u GS 0 , u DS =0 产生垂直向下的电场 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 P N + s g N + i D =0 g – + + – 电场排斥空穴 吸引电子 形成耗 尽层 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 P N + s g N + i D =0 d – + + – 形成导电沟道 当 u GS = U GS(th) 时 出现反型层 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 P N + s g N + i D =0 d – + + – U GS(th) —— 开启电压 N 沟道增强型 MOS 管，简称 NMOS N 沟道 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 P N + S G N + i D 0 D – + + – u DS (d) 沟道反型 层呈楔形 (b) 沿沟道有电位梯度 (3) 当 u GS U GS(th ） , u DS 0 时 (c) 绝缘层内不同 点的电场强度不 同 , 左高右低 (a) 漏极电流 i D 0 u DS 增大 ， i D 增大 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 a . u DS 升高 沟道变窄 P N + S G N + i D 0 D – + + – u DS 反型层变窄 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 b . 当 u GD = u GS – u DS = U GS(th ） 时 P N + S G N + i D 0 D – + + – u DS 沟道在漏 极端夹断 (b) 管子预夹断 (a) i D 达到 最大值 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 c . 当 u DS 进一步增大 (a) i D 达 到最大值 且恒定 N i D 0 P N + S G + D – + + – u DS 沟道夹断区延长 (b) 管子进入恒流区 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 增强型 NMOS 管工作原理动画演示 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 2 ．伏安特性与参数 a ．输出特性 可 变 电 阻 区 放大区 截止区 输出特性曲线 2 4 0 6