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场效应晶体管 Field Effect Transistor FET 场效应晶体管 FET 场效应管与三极管不同，它是利用多子 导电，属于单极型晶体管 . 结型场效应管 JFET 绝缘栅型场效应管 MOSFET 场效应管有两种 : N 沟道 P 沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 绝缘栅场效应管（ IGFET ） 绝缘栅场效应管的栅极与其他电极绝缘。 它利用栅源间电压所产生的电场效应控制半 导体内载流子的运动。 根据 绝缘 材料 的不 同分 为： 金属 — 氧化物 — 半导体场效应管 （简称 MOSFET 或 MOS 管） 金属 — 氮化硅 — 半导体场效应管 （简称 MNSFET 或 MNS 管） 金属 — 氧化铝 — 半导体场效应管 （简称 MALSFET ） N 沟道增强型 MOSFET 增强型 NMOS 管的结构示意图 ( 立体图 ) ( a ) 源 极 栅 极 漏 极 氧 化层 (SiO 2 ) B W P 型 衬底 N ＋ N ＋ L 耗 尽 层 A1 层 S G D 简称增强型 NMOS 管 增强型 NMOS 的剖面图 源极 S 漏极 D 栅极 G SiO 2 绝 缘 层 SiO 2 SiO 2 N+ 型半导体 耗尽区 利用掺杂浓度较 低的 P 型硅片作基 片（衬底），并 引出电极衬底 B 在两个高掺杂浓 度的 N 型半导体上 引出两个电极： 源极 S 、漏极 D 。 在 SiO 2 绝缘层上 沉积出铝层并引 出栅极 G 。 P 衬 底 金属 衬底 B 由于栅极和源极、漏极、衬底之间相互绝缘， 故称绝缘栅场效应管。 增强型 NMOS 管的工作原理 ( 一 ) u GS 对 i D 及导电沟道的控制作用 1. u GS =0 MOS 管的源极和衬底通常是接在一起的 ( 大多数管子在出厂前已连接好 ) 。 增强型 NMOS 管的漏极 d 和源 极 s 之间有两个背靠背的 PN 结 即使加上漏 - 源电压 u DS ， 而且不论 u DS 的极性如何， 总有一个 PN 结处于反偏 状态，漏 - 源极间没有导 电沟道，只有很小的漂 移电流。这时漏极电流 i D ≈0 。 2. u GS 0 但 u GS U T （在栅 - 源极间加上正向电压） ? 栅极和衬底之间的 SiO 2 绝缘层 中产生一个垂直于半导体表面的 由栅极指向衬底 的电场 ; ? 这个电场能排斥空穴而吸引电 子，因而使栅极附近的 P 型衬底 中的空穴被排斥，剩下不能移动 的 受主离子 ( 负离子 ) ，形成 耗尽 层 ，同时 P 衬底中的电子（少子） 被吸引到衬底表面。 ? 当 u GS 数值较小 ，吸引电子的 能力不强时， 漏 - 源极之间仍无 导电沟道出现 3. u GS 继续增加 ? u GS 增加时，吸引到 P 衬底表 面的电子就增多，当 u GS 达到某 一数值时，这些电子在栅极附 近的 P 衬底表面便形成一个 N 型 薄层 ，且与两个 N + 区相连通， 在漏 - 源极间形成 N 型导电沟道 ， 其导电类型与 P 衬底相反，故又 称为 反型层 ; ? u GS 越大 ，电场越强，吸引到 P 衬底表面的电子就越多，导电 沟道越厚，沟道电阻越小。 开始出现反型层时的栅 - 源电压称为 开启电压 ，用 U T 表示 。 综上： ? 增强型 NMOS 管在 u GS ＜ U T 时，不能形成 导电沟道，管子处于截止状态； ? 只有当 u GS ≥ U T 时，才有沟道形成，此时在 漏 - 源极间加上正向电压 u DS ，才有漏极电流 产生。 ? 而且 u GS 增大时，沟道变厚 . 必须在 u GS ≥ U T 时 才能形成导电沟道 的 MOS 管称为 增强型 MOS 管 。 D G S ( c ) B 增强型 NMOS 管的符号 箭头方向从 P 区指向 N 型沟道 ( 二 ) u DS 对 i D 的影响 ( 当 u GS U T 且为一确定值时 ) ? 当 u DS = 0 时，沟道里没有电子的定向运动， i D =0 ； ? 当 u DS ＞ 0 但 较小（ u DS u GS – U T ）时 ， u GD = u GS – u DS (u GD U T ) ， 源漏极两端沟道的 厚度不相等。 漏极电流 i D 沿沟 道产生的电压降使沟道内各点 与栅极间的电压不再相等，靠 近源极一端的电压最大，这里 沟道最厚；而漏极一端电压最 小