纳米材料结构表征的重要性.docx

结构表征的重要性 根据光荧光谱的测试原理，针对具体的化合物半导体材料的层次结构， 归纳、总结出两 个实用的分析模型：光荧光谱的厚度干涉模型和透明衬底发光模型。 应用厚度干涉模型，对 Ga外延材料、带 DBR结构的MQw材料的光荧光谱曲线进行了分析，并解释了 AIGalnP LED 结构PL扫描图的强度分布。应用透明衬底发光模型，分析并解释了 InGaAs材料的发光强度 图案。实验结果表明，这两个分析模型能很好地解释薄膜外延层的 PL光谱曲线，能够分析 光荧光谱的曲线形状和强度分布与材料结构及表面状态的关系， 对判断材料品质有较大帮助， 具有一定的实用价值。 GaAs InP、GaN基化合物材料多属 于直接带隙材料，能够制作出各种光发 射、光吸收器件，如各种发光二极管、 激光器、探测器等。在研制、生产这些 光电材料的过程中，光荧光的测试必不 可少。光荧光的测试原理 为：以短波长 激光器（相对于被测样品）为激发光源，光 A / 5 I1 / hEU姑梅 a- / y 即/ y m I反射犠，兄戟九僧罰■:九時濡■图 kt，”卍 IJEOTwtrrw^ 照射到半导体样品后被样品吸收产生非平衡的电子一空穴对，电子和空穴经过弛豫、扩散、 复合等物理过程最后发射出反映样品特性的荧光。 因此通过光荧光测量可以确定材料发光波 长、发光强度等物理特性，经过特殊的分析 （如变温光荧光乜13］、瞬态光