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1.3 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由 于工作时，多数载流子和少数载流子都 参与运行，因此，还被称为 双极型晶体 管 （ Bipolar Junction Transistor, 简 称 BJT ）。 BJT 是由两个 PN 结组成的。 一 . BJT 的结构 NPN 型 PNP 型 符号 : - - - b c e - - - e b c 三极管的结构特点 : （ 1 ）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （ 2 ）基区要制造得很薄且浓度很低。 - - N N P 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 - - P P N 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 二． BJT 的内部工作原理 （ NPN 管） 三极管在工作时要加上 适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态： 发射结正偏： + U CE － ＋ U BE － ＋ U CB － 集电结反偏： 由 V BB 保证 由 V CC 、 V BB 保证 U CB =U CE - U BE 0 N N P BB V CC V R b R C e b c 共发射极接法 c 区 b 区 e 区 （ 1 ）因为发射结正偏，所以发 射区向基区注入电子 ，形成了扩 散电流 I EN 。同时从基区向发射区 也有空穴的扩散运动，形成的电 流为 I EP 。 但其数量小，可忽略。 所以发射极电流 I E ≈ I EN 。 （ 2 ）发射区的电子注 入基区后，变成了少数载 流子。少部分遇到的空穴 复合掉，形成 I BN 。所以基 极电流 I B ≈ I BN 。大部分 到达了集电区的边缘。 1 ． BJT 内部的载流子传输过程 N N P BB V CC V R b R C e b c I EN EP I I E B I （ 3 ）因为集电结反偏， 收集扩散到集电区边缘 的电子，形成电流 I CN 。 N N P BB V CC V R b R C e b c I EN EP I I E B I CN I C I CBO I 另外，集电结区的少 子形成漂移电流 I CBO 。 2 ．电流分配关系 三个电极上的电流关系 : I E = I C + I B N N P BB V CC V R b R C e b c I EN EP I I E B I CN I C I CBO I 定义： E CN I I ＝ ? E CBO E C I I I I ? ? ? ＋ ＝ (1) I C 与 I E 之间的关系 : 所以 : E C I I ? ? 其值的大小约为 0.9 ～ 0.99 。 (2) I C 与 I B 之间的关系： N N P BB V CC V R b R C e b c I EN EP I I E CN I C I CBO I 联立以下两式 ： CBO E C I I I ＋ ＝ ? B C E I I I ＋ ＝ 得： CBO B C CBO E C I I I I I I ）＋ ＋ （ ＝ ＋ ＝ ? ? 所以 ： CBO B C 1 1 1 I I I ? ? ? － ＋ － ＝ B CEO B C I I I I ? ? ? ＋ ＝ 得： ? ? ? － ＝ 1 令 ： CBO CEO 1 1 I I ? － ＝ B I 三 . BJT 的特性曲线（ 共发射极接法） (1) 输入特性曲线 i B = f ( u BE ) ? u CE =const + + + + i - u BE + - u B T CE + C i （ 1 ） u CE =0V 时，相当于两个 PN 结并联。 0.4 0.2 i (V) (uA) BE 80 40 0.8 0.6 B u =0V u CE ＞ 1V CE u （ 3 ） u CE ≥1V 再增加时，曲线右移很不明显。 （ 2 ）当 u CE =1V 时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复 合减少， 在同一 u BE 电压下， i B 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。