太阳能多晶硅原理培训资料.pptVIP

光伏发电的未来及硅材料;光伏发电的未来及硅材料 1。光伏发电的未来趋势及硅材料 2。太阳级硅材料短缺引起的效应 3。太阳级硅材料纯度讨论及思考 4。结语;1．光伏发电的未来趋势及硅材料 1）太阳能光伏发电是未来最重要的战略能源 ◆ JRC预测; ◆欧洲光伏工业协会(EPIA) 的预测： 2020年：光伏组件年产量：40GW 系统总装机容量：195GW 光伏发电量：274TWh, ＝2020年全球发电量的1％ 光伏组件成本：1美元/Wp 2040年：光伏发电量：7368TWh, ＝ 2040年全球发电量的21％;◆ IEA-PVPS预测 2020年光伏发电占世界总发电量1％，2040年20％; ◆世界光伏发电发展路线图;年;;2．太阳级硅材料短缺引起的效应 1）正面效应：促进了光伏发电技术的全面提升： ?加速了太阳级硅材料产业发展和技术进步， 促进了太阳级硅材料新方法的探索和开发； ?促进了晶硅电池及组件技术的提升： 电池效率，硅片减薄，薄片电池技术， 产业化技术（高度规模化和自动化）， 大组件技术发展等。 ; ?加速了薄膜电池发展 硅基薄膜(a-Si，?c-Si, a-Si/?c-Si)， CdTe， CIGS。。。。 ? 促进了聚光光伏技术发展 ? 其它：促进了其它可再生能源技术的发展 如太阳能热发电技术等。;;3。太阳级硅材料纯度讨论 3.1 硅太阳电池工作特点与硅材料性能关系 ?目前国际上尚没有统一的太阳级硅材料纯度标 准和界定。每年EG和SG-Si的报道数据是根据 商家卖给EG用户和SG用户的量统计的，SG中 也包含有优质料。 ?光伏界的经验提法是－太阳级硅纯度大于6N。 实际上对“大于6N”要具体分析，金属杂质浓度 要求更苛刻。;? 晶硅太阳电池本质上是硅半导体二极管器件，同时 是一个要求有“极限性能”的器件（即开路电压、 短路电流、填充因子愈高愈好，最好能达到理论极 限值）。从器件性能讲，对材料纯度要求与半导体 工业并无本质差别，电子级（EG）与太阳极的纯 度差别只是因为光伏发电对成本的???刻要求，成本 与性能的折中在一定程度上放松纯度要求。;? 在各种产业领域中，半导体器件与 材料性能（纯度 和品质）之间的关系最直接、最敏感、关联度最 大。微电子器件如此（向微观尺寸发展），太阳电 池（向宏观尺寸发展）也如此。 ? 太阳电池的工作环境是各种半导体器件中最苛刻 的：要经受风吹、日晒、沙尘、冰雹、高低温交 变、潮湿、酸雨、酸雾侵蚀等几乎所有恶劣环境考 验，这是其它半导体器件（大多在室内环境或者恒 温环境中工作）所没有的。;?太阳电池要求的工作寿命是几乎所有半导体器件中 是最长的（25年以上甚至更长）。 ?特别恶劣的工作环境、特别长的工作寿命以及市场对 愈来愈高的效率要求，都对材料提出了特殊的纯度和 品质要求。 ?从世界晶硅电池技术发展路线图看到，效率（实验室 电池、商业化电池）持续提高，对材料纯度也会有基 本要求。 ;3.2 理论计算结果 ?p-型 4?cm衬底硅太阳电池中杂质对效率的影响 ;?n-型 1.5?cm衬底硅太阳电池中杂质对效率的影响;3.3 国外经验和数据 太阳级硅材料产品目标（ASiMI / SGS）;;;掺硼p-型Cz单晶硅电池的光照效率 衰减(～5％)和200℃退火恢复现象;光衰减大小(1/ ?f - 1/ ?i )与间隙氧浓度[oi]的关系 (样品的硼浓度基本恒定：NB=0.8-1.5?1016cm-3.) 超线性关系：说明氧影响的严重性。 ;研究表明，光衰减和退火恢复现象同样存在于mc-Si(掺B)中。; 在国际光伏组件质量认证测试中，允许晶硅组件效率有小于5％的效率衰减与此有直接关系。 只要太阳电池使用Cz-Si片，光衰减就不可避免。 MCZ（加磁场）能有效减少氧的引入、避免光衰减现象；目前拉制半导体工业用8英寸单晶硅必须施加磁场，但还没有在光伏工业中推广。