详细DDR3初始化过程.docxVIP

WORD格式 初始化过程如下： 首先上电（ RESET#推荐保持在 0.2XVDD ；其他的输入没有定义）。RESET# 信号需要用 稳定电源保持最少 200us 。在图中可以看出来， CKE 需要在 RESET# 拉高之前被拉低，且 最少维持 10ns 。 2. 在 RESET# 被拉高之后，需要等待 500us 直到 CKE 被拉高。在这段时间内， DRAM 会 开始内部状态的初始化，这个过程是独立于外部时钟完成的。 3. 在 CKE 拉高之前，时钟（ CK ， CK# ）必须开始且稳定至少 10ns 或 5 个 tCK 。图中可以 看到一个 tIS 时间，这个时间是 CKE 关于时钟的 setup 时间，因为 CKE 是一个同步信 号。在 CKE 拉高之前且使用 tIS 设定自己的同时， NOP 和 Deselect 命令也必须 registed 。在 Reset 之后当 CKE 拉高， CKE 就必须持续拉高直到初始化过程结束。图中可 以看到 CKE 持续拉高到 tDLLK 和 tZQinit 都截止的时候。 专业资料整理 WORD格式 4. 在 Reset# 拉低的时候， DDR3 SDRAM 的 ODT 一直保持高阻态。除此之外， ODT 还在 RESET#拉高到 CKE 变高这段时间维持了高阻态。在 tIS 之前， ODT 的输入信号可能在一 个未