导电微晶静电场描绘仪说明.docxVIP

实验五 用电流场模拟静电场和飞机机翼周围的速度场 模拟法本质上使用一种易于实现、便于测量的物理状态或过程模拟不易实现、不便测量的状态和过程， 要求这两种状态或过程有一一对应的两组物理量，且满足相似的数学形式及边界条件。 一般情况，模拟可分为物理模拟和数学模拟，对一些物理场的研究主要采用物理模拟（物理模拟就是保持同一物理本质的模拟），例如用光测弹性模拟工件内部应力的分布等。 数学模拟也是一种研究物理场的方法，它是把不同本质的物理现象或过程， 用同一数学方程来描绘。 对一个稳定的物理场，若它的微分方程和边界条件一旦确定， 其解是唯一的。两个不同本质的物理场如果描述他们的微分方程和边界条件相 同，则他们的解是一一对应的， 只要对其中一种易于测量的场进行测绘，并得到结果， 那么与它对应的另一个物理场的结果也就知道了。由于稳衡电流场易于实现测量， 所以就用稳衡电流场来模拟与其具有相同数学形式的其他物理场。 我们还要明确，模拟法是试验和测量难心直接进行，尤其是在理论难以计算时，采用的一种方法，它在工程设计中有着广泛的应用。 一、目的要求 本实验用稳衡电流场分别模拟长同轴圆行电缆的静电场、劈尖形 电极和聚焦。 平行导线形成的静电场以及飞机机翼周围的速度场。 具体 要求达到： 1、 学习用模拟方法来测绘具有相同数学形式的物理 场。 2、 描绘出分布曲线及场量的分布特点。 3、 加深对各物理场概念的理解。 4、 初步学会用模拟法测量和研究二位静电场。 二、仪器设备 GVZ-3型导电微晶静电场描绘仪 三、原理 ( 一) 模拟长同轴圆柱形电缆的静电场 稳恒电流场与静电场是两种不同性质的场，但是他们两者在一定条 件下具有相似的空间分布，即两种遵守规律在形式上相似， 都可以引入电位 U , 电场强度 E=－ ▽U，都遵守高斯定律。 对于静电场，电场强度在无源区域内满足以下积分关系 对于稳恒电流场， 电流密度矢量系  在无源区域内也满足类似的积分关 由此可见 和 在各自区域中满足同样的数学规律。在相同边界条件下，具有相同的解析解。因此，我们可以用稳恒电流场来模拟静电场。 在模拟的条件上，要保证电极形状一定，电极电位不变，空间介质 均匀，在任何一个考察点，均应有 ”U稳恒 =U静电 ”或” E 稳恒 =E 静电”。下面具体试验来讨论这种等效性。 1.同轴电缆及其静电场分布 如图 1(a) 所示，在真空中有一半径为 ra 的长圆柱体 A 和一内半径 为 rb 的场圆筒形导体 B，它们同轴放置，分别带等量异号电荷。由高斯定理知，在垂直于轴线的任一截面 S 内，都有均匀分布的辐射状电场 线，这是一个与坐标  Z 无关的二维场。在二维场中，电场强度  E 平行 于  XY  平面 ,其等位面为一簇同轴圆柱面。因此只要研究  S 面上的电场 分布即可。 图 1 同轴电缆及其静电场分布 由静电场中的高斯定理可知，距轴线的距离为 r 处（见图 1b）的各点 电场强度为 式中 ()为柱面各单位长度的电荷量，其电位为 设 r=rb 时， Ub=0,则有 代入上式，得 2.同柱圆柱面电极间的电流分布 若上述圆柱形导体 A 与圆筒形导体 B 之间充满了电导率为 的不良导体， A 、B 与电源电流正负极相连接（见图 2），A、B 间将形成径向电流， 建立稳恒电流场 Er ′，可以证明不良导体中的电场强度 Er′ 与原真空中的静电场 Er 是相等的。 取厚度为 t 的圆轴形同轴不良导体片为研究对象，设材料电阻率为 ，则任 意半径 r 到 r +dr 的圆周间的电阻是 则半径为 r 到 rb 之间的圆柱片的电阻为 图 2 同轴电缆的模拟模型总电阻为 (半径 ra 到 rb 之间圆柱片的电阻 ) 设 Ub=0, 则两圆柱面间所加电压为 Ua,径向电流为 距轴线 r 处的电位为 则 = 由以上分析可见， 与 ， 与 的分布函数完全相同。为什么 这两种场的分 布相同呢？我们可以从电荷产生场的观点加以分析。 在导电质中没有电流通过的，其中任一体积元（宏观小，微观大，其内仍包含大量原子）内正负电荷数量相等，没有净电荷，呈电中性。当有电流通过时，单位 时间内流入和流出该体积元内的正或负电荷。 这就是说， 真空中的静电 场和有稳衡电流通过时导电质中的场都是由电极上的电荷产生的。 事实上，真空中电极上的电荷是不动的，在有电流通过的导电质中，电极上 的电荷一边流失， 一边由电源补充， 在动态平衡下保持电荷的数量不变。 所以这两种情况下电场分布是相同的。 （二）模拟飞机机翼周围的速度场 我们来讨论稳恒电流场和机翼周围的速度场具有相同的数学模拟，即它们可以由同一个微分方程来描述，并且具有相同的边界条件。 1.无旋稳恒电流场 设在导电微晶中有稳恒电流分布，即电流密度 不随时间而变化。 按