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材料物理性能课件-3.3材料的抗磁顺磁.pdfVIP

材料物理性能课件-3.3材料的抗磁顺磁.pdf

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抗磁性产生的机理: 当外加磁场穿过电子轨道时,引起的电磁感应使 轨道电子加速。根据楞次定律,由轨道电子的这 种加速运动所引起的磁通,总是与外磁场的变化 相反,因而磁化率是负的,呈现抗磁性。 物质的抗磁性是普遍存在的,它是所有物质 在外磁场作用下毫无例外地具有的一种属性。 但是大多数物质的抗磁性因为被较强的顺磁 性所掩盖而不能表现出来。只有在不具有固 有原子磁矩的物质中才能表现出来。比如: 电子壳层已经填满的原子构成的物质;具有 惰性气体结构的离子晶体;靠电子配对耦合 而成的共价键晶体等。 拉莫进动 拉莫定理:一个作轨道 运动的电子,其轨道动 量矩或轨道磁矩在恒稳 磁场中受到力矩作用, 也会产生以角速度ω L (称作 “拉莫频率”) 围绕磁场的进动。进动 的方向是对H 作右旋。 0 ωL 的方向总是与磁场H0 方向一致。  |e |  0 H L 0 2m e 拉莫进动产生附加磁距 拉莫进动,使电子的轨道动量矩改变了p 。据经典l 力学原理有: p m 2 l e L 2 为电子轨道半径在垂直于H 的平面上投影的均方值。  0 2  e 2 相应于p 的磁距为:l   p  0 H  l l l 0 4m e  即为拉莫进动对电子轨道动量矩改变所产生的l 附加磁距,其方向与外加磁场方向相反。 抗磁性磁化率 若物质的单位体积内的原子数为N,每个原子有Z 个电子,则附加的磁化强度为 Z 2 Z  e 2 M N  N 0 H   l 0 i 1 4me i 1 2 设原子内的电子分布为球对称,用 表示原子周 r 围电子云的均方半径,因为

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