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PAGE PAGE # 第1章 检测题 （共100分，120分钟） 、填空题: 1、 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _五_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子少数载流子为_空穴—，不能移动的杂质离子带_正_电。P型半导体是在本征半导体中掺入 极微量的_三_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 —空穴少数载流子为_自由电子_，不能 移动的杂质离子带_负_电。 2、 三极管的内部结构是由 —发射一区、_基_区、—集电区—区及—发射—结和—集电—结组成的。三极 管对外引岀的电极分别是—发射—极、_基_极和—集电—极。 3、 PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 _相反一，有利于—多数载流子—的 _扩散—运动而不利于—少数载流子_的_漂移PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 —一致_， 有利于—少子_的_漂移_运动而不利于 _多子_的_扩散—，这种情况下的电流称为—反向饱和—电流。 4、 PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 _P_向_N_区进行扩散，N型半导体中的多 数载流子由—N_向_P_区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 —空间电荷区_，其方向 由_N_区指向_P_区。—空间电荷区_的建立，对多数载流子的—扩散—起削弱作用，对少子的—漂移—起增 强作用，当这两种运动达到动态平衡时， _PN结_形成。 5、 检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的 _Rx 1K_档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表 棒相接触的电极是二极管的 _阴_极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 _阳_极。检测二极管好坏时， 两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被 —击穿两表棒位置调换前后万用 表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 _绝缘老化不通_。 6、 单极型晶体管又称为—场效应（MOS） _管。其导电沟道分有_N_沟道和_P_沟道。 7、 稳压管是一种特殊物质制造的 _面_接触型—硅晶体—二极管，正常工作应在特性曲线的—反向击穿 区。 8、 MOS管在不使用时应避免_栅_极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误： TOC \o 1-5 \h \z 1、 P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明 P型半导体呈负电性。 （错） 2、 自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （错） 3、 用万用表测试晶体管时，选择欧姆档 RX10K档位。 （错） 4、 PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （错） 5、 无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （错） 6、 双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。 （对） 7、 二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。 （错） 当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流 Icm时，该管必被击穿。 （错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 （错） （错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用 （错） 三、选择题: 1、 单极型半导体器件是（ C ）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、 P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、 稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、 用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于 1KQ，说明该二极管（ C ） A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、 PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、 测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为 Ve= 2.1V，V = 2.8V，Vc= 4.4V，说明此三极管 处在（A ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 7、 绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。 A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。 正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ） A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。 9、 三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流1cm ； B、集一射极间反向击穿电压 U （BR） CEO； C、集电极最大允许耗散功率 Pcm ； D、管子的电流放大倍数 一：。 10、 若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题4分，共28分） 1、 N型半导体中的多子是