电子科大微机原理chapter5习题解答.docxVIP

5.10用16KX1位的DRAM 芯片组成 64KX8位存储器，要求： 画出该存储器的组成逻辑框图。 设存储器读/写周期为0.5卩SQPU在1 yS内至多要访问一次。试问采用 哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单 元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？ (1)组建存储器共需 DRAM 芯片数N= (64K*8 ) / (16K*1 ) =4*8 (片)。 每8片组成16KX8位的存储区， A13~A0作为片内地址，用 A15、A14经2:4译码器 产生片选信号： ，逻辑框图如下(图有误：应该每组 8片，每片数据线为1根) (2)设16KX8位存储芯片的阵列结构为 128行X128列，刷新周期为 2ms。因为刷 新每行需0.5 yS,则两次(行)刷新的最大时间间隔应小于： 心遊“55(呵 128 为保证在每个1yS内都留出0.5 yS给CPU访问内存，因此该DRAM适合采用分散式或 异步式刷新方式，而不能采用集中式刷新方式。 若采用分散刷新方式， 则每个存储器读/写周期可视为1 yS,前0.5yS用于读写，后 0.5 yS用于刷新。相当于每 1 yS刷新一行，刷完一遍需要 128X 1 yS= 128 yS,满足刷新周期 小于2ms的要求； 若采用异步刷新方式，则应保证两次刷新的时间间隔小于 15.5 y S如每隔14个读 写周期刷新一行，相当于每 15 yS刷新一行，刷完一遍需要 128 x 15yS= 1920 y S,满足刷新 周期小于2ms的要求； 需要补充的知识： 刷新周期：从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止 的时间间隔。刷新周期通常可以是 2ms，4ms或8ms。 DRAM 一般是按行刷新，常用的刷新方式包括： 集中式：正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。 特点：存在一段停止读 特点：存在一段停止读/写操作的死时间，适用于高速存储器。 (DRAM共128行，刷新周期为2ms,读/ (DRAM共128行，刷新周期为2ms,读/写涮新时间均为0.5诃 分散式：一个存储系统周期分成两个时间片， 分时进行正常读/写操作和刷新操作。 特点：不存在停止读/写操作的死时间，但系统运行速度降低。 叩 (II lit—|-tr— (127) 刷新间隔1刘个系箏周期(L2HRE) t (DRAM共128行，刷新周期为128q, tm= 0.5以为读/写时间，tr= 0.5以为刷新时间,tc= 1 yS为存储周期) 异步式：前两种方式的结合， 每隔一段时间刷新一次， 只需保证在刷新周期内对整 个存储器刷新一遍。 5.11若某系统有24条地址线，字长为8位，其最大寻址空间为多少？现用 SRAM2114(1K*4)存储芯片组成存储系统，试问采用线选译码时需要多少个 2114存储芯片？ 该存储器的存储容量=224 *8bit=16M字节 需要SRAM2114(1K*4)存储芯片数目：14*2=28片 5.12在有16根地址总线的机系统中画出下列情况下存储器的地址译码和连 接图。 采用8K*1位存储芯片，形成 64KB存储器。 采用8K*1位存储芯片，形成 32KB存储器。 采用4K*1位存储芯片，形成 16KB存储器。 由于地址总线长度为16，故系统寻址空间为 216 8=64K 8bit 8K*1位存储芯片地址长度为 13，构成64KB存储器需要8组，每组8个8K*1 位存储芯片，地址译码表为： A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 . A2 A1 A0 共需8片 8K*1位存储 -H- LJL 心片 红色为片选 第一组 地址范围 0000H~ 1FFFH 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 第二组 地址范围 2000H~ 3FFFH 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 第三组 地址范围 4000H~ 5FFFH 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 第四组 地址范围 6000H~ 7FFFH 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 第五组 地址范围 8000H~ 9FFFH 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 第六组 地址范围 OAOOOH~ 0BFFFH 1 0 1 0 0