比亚迪bydlcd工艺流程与技术发展.pptVIP

LCD LCD LCD LCD LCD LCD LCD 七次光刻的 TFT 阵列工艺原理 一、在玻璃基板上溅射 Mo/Ta 制作栅极 二、在栅电极上沉积氧化硅 三、在氧化硅制作氮化硅形成高质量栅极绝缘膜 四、在栅极绝缘膜上形成半导体有源层 五、制作实现欧姆接触的掺杂有源层 六、制作漏电极、源电极、漏电极数据信号线、源电极接像素电极 七、制作氮化硅保护膜 LCD 溅射 清洗 旋涂 曝光 显影 蚀刻、脱膜 第一步、溅射金属膜，形成栅极与存储电容电极 LCD 第二步、 PECVD 沉积 SiOx ，形成栅极氧化膜 SiH4+O2 SiOx+H2+H2O 第三步、 PECVD 沉积 SiNx, 形成双层绝缘保护层 SiH4+N2 SiNx+H2+NH3 LCD 第四步、 CVD 制备 x-Si 膜：采用 CVD 技术生长半导体 x-Si 膜 第五步、 第二次光刻 ，形成 TFT 有源层图形 第六步、制作 n+a-Si 膜：防止反向漏电流， 同时 为了与源极和漏极形成欧姆接触 第七步、 第三次光刻 ，形成非晶硅 n+ 图形 LCD LCD 工艺流程 及发展现状 LCD 图形段 来料玻璃 清洗 涂感光胶 前烘 曝光 显影 显影检查 后烘 酸刻 图形检查 清洗：机械清洗如刷洗、冲洗，超声波清洗，臭氧洗、 UV 清洗， 溶剂洗等 评价手段：接触角、强光检查表面、显微镜检查 涂感光胶：正性胶、负性胶，我们使用正性胶。 评价手段：膜厚度、显影效果、去除效果 曝光：由光路产生的平行紫外线曝光，接触式、恒温、自动对位 评价手段：光强均匀性、对位精度、图形精度 酸刻：盐酸、硝酸混合物，温度对酸刻效果影响大，温度过低生 产效率降低快，过高同光刻胶有反应，生产物质难以脱膜除去。 也可以使用 4 价铁离子作为酸刻剂。 评价手段：线条宽度、微短路、侧蚀 LCD LCD 工艺制程 LCD 定向段 TOP 前清洗 TOP 印刷 TOP 主固化 PI 前清洗 PI 印刷 PI 主固化 PI 预固化 摩擦 清洗 PI 印刷：电压主要影响因素，定向效果的关键 评价手段：膜厚、尺寸位置、均匀性 固化：主要有炉子固化和热板固化两种 评价手段：温度均匀性、升温曲线 摩擦：用绒毛布在玻璃表面打磨出均匀定向沟槽 评价手段：蒸汽检查摩擦效果 LCD 印框 预烘 点胶 贴合 热压 印点 预烘 喷粉 丝印：用聚酯、尼龙、钢网在单个 CELL 四周印刷一个起密闭作用 的环氧树脂胶框，同时导通点起上下片导通作用 评价手段：丝印下胶量、热压后延展效果 热压：贴合后的玻璃在加压加热的环境下，环氧树脂交连固化，一 般分热压夹具、气囊、热压机等几种热压方式 评价手段：水煮可靠性试验、拉力效果 制盒段 LCD 后段 切割 断粒 插条 灌晶 加压封口 清 洗 电测 分色 二次清洗 贴片 COG TAB 模组 LCD 彩色化趋势 LCD C/F 製作技術介紹 ? 乾膜轉印法 ? 顏料分散法 ? 印刷法 LCD 乾膜轉印法 LCD 顏料分散法 -1 LCD 顏料分散法 -2 LCD 印刷法 -1 LCD 印刷法 -2 LCD 印刷法 -3 LCD 印刷法 -4 LCD LCD NTSC 色飽和度 色饱和度问题 LCD LCD 视角问题 LCD 集成化趋势 LCD PLASMA ADDRESSED OTHERS 无 定 型 硅 ? 液晶显示分类 液晶 主动式 被动式 TFT MIM MOS DIODE OTHERS TN STNCSTN FLC 多 晶 硅 LCD LCD 发展 2 ）应用研究阶段（ 1960~1968 ） Williams 研究向列相液晶动态散射。 Fergason 研究胆甾相液晶温度色变。 Fergason 等人发现 TN-LCD 。 1968 年 RCA 公布 LCD 。 3 ） 液晶显示产业 (1973~ ) Gray 5CB 液晶材料的合成 TN-LCD 工业生产 (1973~ ) STN-LCD 工业生产（ 1986~ ） TFT-LCD 工业生产 (1991 ~ ) 1 ）液晶物理鼎盛时期（ 1930~1960 ） Frank 等人建立液晶连续体理论。 Maier-Saupe 平均场理论的建立。 液晶光电磁性研究等，液晶应用基础。 LCD TN-LCD ：低信息容量，码段式显示 应用范围： 电子钟表、测量仪器、电话机、游戏机 LCD STN-LCD: 图文信息显示 应用范围： 便携通讯终端、 PDA 、仪器器表 掌上电脑 PDA 移动通讯终端 LCD TFT-LCD: 大信息容量视频显示显像 应用范围： 笔记本电脑、 PC 监视器、液晶电视、 GPS 、液晶投影 LCD 液晶显示器 ? 有源矩阵方式 简单结构