硅v型槽的制作工艺瑞合航天.pptVIP

(a) R(100)/R(111) (b) R(110)/R(111) IPA 对腐蚀速率比的影响 五、湿法腐蚀工艺 硅 V 型槽的制作工艺 概述 随着光通讯的迅猛发展，光纤到户已经实现。 光通讯网络中人们大量使用平面光波导器件 PLC ， 并通过光纤阵列与平面光波导器件精确对准，这对 光纤阵列中最重要的基本元件 —— 精密 V 型槽的制 作提出了很高要求。 按照材料分类，精密 V 型槽有 陶瓷 V 型槽 、 玻 璃 V 型槽 和 硅 V 型槽 三种。 按照加工方法分类，有 精密机械加工方法 和 微 机械加工方法 。陶瓷 V 型槽、玻璃 V 型槽采用精密 机械加工方法，硅 V 型槽采用微机械加工方法。 概述 精密机械加工方法 是在精密机床上用金刚石刀 具对工件进行精研、抛光。由于存在刀具磨损，需 要在加工过程中对刀具进行在线检测、在线修复。 精密 V 型槽的周期精度达到亚微米量级，因此导致 机床和刀具的精度要求达到亚微米乃至纳米量级。 优点：陶瓷、玻璃、单晶硅都可加工。 陶瓷 V 型槽 强度高、耐磨，主要用在光纤熔接机上。 玻璃 V 型槽 透明，放光纤时便于在线观察，主要用在光 纤阵列中。 缺点：设备费很贵，维护费也很高。此外，由 于是单件加工，大批量时需要多台设备同时工作。 概述 微机械加工方法 有体硅加工方法、表面硅加工 方法、 LIGA 加工方法等，是微机电系统（ MEMS ） 中最重要、最基本的工艺。 硅 V 型槽 用的是体硅加 工方法，这是 MEMS 工艺中最成熟的方法，也是目 前实用化 MEMS 元器件中使用最广泛的方法。该方 法利用单晶硅的各向异性腐蚀特性，通过晶面自然 解理形成 V 型槽，因此只适用于单晶硅。 硅 V 型槽侧壁光滑、线条笔直、一致性好、精 度高，无精密机械加工的累计误差。由于采用与微 电子类似的并行生产工艺，保证了 高品质、大批量、 低成本 。 概述 硅 V 型槽 的三维几何尺寸 精度高 ，非常适合于 放置光纤并精密定位，能和激光器、探测器以及其 它光电子器件的间隔严格匹配，大大减少了光电子 器件和光纤耦合对准的损耗。硅 V 型槽广泛应用在 光通讯领域，例如光纤阵列等器件中，虽然其不透 明，但若用透明玻璃做盖板，也可用于在线观察。 硅 V 型槽 传热性能好 ，光纤可以承受很大激光 功率，因此在大功率激光器领域具有不可替代的作 用，例如用半导体激光器阵列做激光加工机床或者 用作大功率固态激光器的泵浦源，以及激光印刷等。 硅 V 型槽的制作流程图 硅片制备 薄膜生长 光刻 薄膜刻蚀 划片 湿法腐蚀 一、硅片制备工艺 滚磨 切片 磨片 倒角 减薄腐蚀 抛光 用化学腐蚀液除去硅片表面的损伤层和沾污层 用成型砂轮磨削硅片边缘，直到规定形状 用化学机械抛光获得镜面平整的硅片 用研磨液将硅片研磨成具有规定的表面平整度 把单晶硅棒切成所需厚度的硅片 将单晶硅棒研磨成具有精确直径 , 并标记晶轴方向 二、薄膜生长工艺 硅片表面生长一层薄膜，用作各向异性腐蚀时保 护图形的掩模，通常为 二氧化硅 和 / 或 氮化硅 二氧化硅主要是热氧化，也可以用低压化学气相 沉积（ LPCVD ）或者等离子体增强化学气相沉积 （ PECVD ），氮化硅主要是低压化学气相沉积 热氧化 干氧 —— 生长慢，膜层薄、致密 湿氧 —— 生长快，膜层厚、疏松 干 - 湿 - 干 —— 综合上述优点，性能好 二、薄膜生长工艺 低压化学气相沉积 低压，摄氏 600~800 度，热分解或化学反应 输运控制：低压，大自由程，表面反应 SiO 2 ： 800 度， SiH 4 +O 2 ，或 TEOS 热分解 Si 3 N 4 ： 700 度， SiH 2 Cl 2 +NH 3 ， SiH 4 +NH 3 在化学气相沉积中加入等离子体，增强沉积速率 优点：温度较低，生长快 缺点：设备贵，控制复杂 等离子体增强化学气相沉积 三、光刻工艺流程 制版 清洗 --HMDS 底剂 涂胶 前烘 曝光 显影 检查 后烘 与通常的集成电路 IC 工艺相同 四、薄膜刻蚀 干法刻蚀 真空腔中，通入气体，并激发等离子体。常见反应 离子刻蚀（ RIE ）、感应耦合等离子体（ ICP ）。精 度高，但速度慢。 适用于二氧