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硅片中 FeB 、 BO 复合体的测试 浙江昱辉阳光能源有限公司 -- 陈双、祝祯凤 一、背景 二、 PV2000 原理等简介 三、单晶硅片中 FeB 、 BO 复合体测试 四、多晶硅片中 FeB 、 BO 复合体测试 五、小结 一、背景 继少子寿命、碳氧含量、电阻率研究之后， FeB 、 BO 复合体也进入大 家的视线，其表征及改善也成为大家比较关注的问题之一。 并且，虽然 SIMS 和 ICP-MS 均能测试硅片中各种金属杂质，可是却不 能给出杂质的分布情况。 基于此，研究硅片中杂质的分布情况对表征硅晶体的质量就更加重 要，并在此基础上，研究其对硅片质量的影响并进行改善。 二、 PV2000 原理等简介 PV2000 或硅晶片重金属沾污测试系统，是 Semilab SDI 公司推 出的测试设备，其原理： 采用表面光电压法（ SEMI 国际标准 -391 ）测试原理，是用大于半导体禁带宽度 的能量 ( 采用两个激光器照射硅晶片表面），在其内部将产生电子 - 空穴对。电子 - 空穴对向表面扩散，在耗尽层电场的作用下将发生分离，从而产生表面光电压。而 通过扩散长度的测试及其变化，又可计算得到其他参数。 载流子扩散长度是半导体材料或器件的重要电学参数，直接反映的是半导体材 料、器件体内的重金属玷污和缺陷情况，同时也可表征 BO 复合体的含量。 [Fe][cm -3 ]= 1.05E16(L after -2 - L before -2 ) Si Si Si Si Si Si Si Si B Fe Si Si Si Si Si Si Si Si Si Fe B Si Before Dissociation Si After Dissociation (optical) Si Si Si Si Si Fe i Si Si B Si Si Si Si Si Si Si Si B Fe i Si Si Si Si Si Si Light induced dissociation h ? ? 1.1eV Fe i B + B Fe i 在 P 型硅片中， Fe 大多以 FeB 复合体的形式存在， 是弱复合中心，见左图。 在能量大于 1.1ev 的光照下，这种 FeB 复合体极易 打开，且以间隙态存在，这种间隙态是一种强复 合中心，见下式： FeB 复合体测试原理 FeB 键的打开和复合影响硅片的扩散长度， 通过测量扩散长度的变化，计算出 Fe 的 含量，计算公式如下 ： 6 BO 复合体的测试原理 B + O 2i Light induced dissociation h ? ? 1.1eV 200oC thermal dissociation E A = 1.38eV BO 2 i Lifetime Killers Fe i B + B Fe i 200oC thermal dissociation E A = 1.17eV Light induced association h ? ? 1.1eV 同 FeB 复合体相似， BO 复合体的打开或者复合同样会影响扩散长度的变化，利用 这种变化来计算 BO 复合体的浓度。 在硅片中，光照下 FeB 复合体打开， BO 复合体形成；可是在加热条件下， FeB 复合体打开， BO 复合体也打开 ( 见上 ) ，利用这个差异，避免测试 BO 时 FeB 引起 的干扰。 图 1 晶棒电阻率分布曲线 图 2 晶棒 FeB 、 BO 分布曲线 1.0E+10 1.0E+11 1.0E+12 1 11 21 31 41 51 61 71 81 91 101 样片编号 a t o m s / c m 3 Fe BO 硅片编号 1 、整根晶棒共取样片 105 片，电阻率测试取每段硅块的头尾 2 、电阻率分布在 1-3 ? *cm 之间，与理论计算和我司控制目标相符； 3 、 Fe 分布比较均一，均低于 5E10cm-3 ，头部、尾部含量略高于中部； 4 、 BO 复合体头部较低，靠近尾部区域有个别较高现象，但是基本在 3E10