南昌大学材料科学基础期末复习题资料.docxVIP

单项选择题： 第 1 章 原子结构与键合 1. 高分子材料中的 C-H 化学键属于 。 （ A）氢键 （B）离子键 （ C）共价键 2. 属于物理键的是 。 （ A）共价键 （ B）范德华力 （ C）离子键 3. 化学键中通过共用电子对形成的是 。 （ A）共价键 （ B）离子键 （ C）金属键 第 2章固体结构 4. 面心立方晶体的致密度为 。 （ A） 100% （B） 68% （ C） 74% 5. 体心立方晶体的致密度为 。 （ A） 100% （B） 68% （ C） 74% 6. 密排六方晶体的致密度为 。 （ A） 100% （B） 68% （ C） 74% 7. 以下不具有多晶型性的金属是 。 （A）铜 （ B）锰 （ C）铁 8. fcc 、 bcc 、 hcp 三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著的是 。 （ A） fcc （ B） bcc （ C） hcp 9. 以下元素中一般与过渡金属容易形成间隙相的元素是 。 （ A）氢 （ B）碳 （C）硼 10. 与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是 。 （ A）氮 （ B）碳 （C）硼 11. 面心立方晶体的孪晶面是 。 （ A ） {112} （B ） {110} （ C） {111} 12. 以下属于正常价化合物的是 。 （ A ） Mg 2Pb （B ） Cu5Sn （ C） Fe3C 第 3章晶体缺陷 13. 在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为 。 （ A）肖特基缺陷 （B）弗仑克尔缺陷 （ C）线缺陷 14. 原子迁移到间隙中形成空位 -间隙对的点缺陷称为 。 （ A）肖脱基缺陷 （B） Frank 缺陷 （ C）堆垛层错 刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是？ （ A）垂直 （B）平行 （ C）交叉 16. 的位错线与滑移矢量必然相互平行。 （ A）刃型位错 （ B）螺型位 错 （ C）混合位错 17. 能进行攀移的位错必然是 。 （ A）刃型位错 （ B）螺型位错 （ C）混合位错 以下材料中只存在晶界、不存在相界的是 （ A）孪晶铜 （B）中碳钢 （ C）亚共晶铝硅合金 19. 在硅、镉等晶体中可观察到 这种主要的位错增殖机制。 （ A）交滑移增殖 （ B）弗兰克 - 里德源 （ C）攀移增殖 20. 小角度晶界两端晶粒的位向差通常小于 度。 （A）2 （B） 3 （C）10 大角度晶界具有 ____________ 个自由度。 （A）3  （B） 4  （C）5 第 4 章 固体中原子及分子的运动 22. 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随 （ A）距离 （ B）时间 （ C）温度 23. 在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为 。 （ A）原子互换机制 （ B）间隙机制 （ C）空位机制  变化。 固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是 （ A）间隙机制 （ B）空位机制 （ C）交换机制 25. 原子扩散的驱动力是 。 （ 4.2 非授课内容） （ A）组元的浓度梯度 （ B）组元的化学势梯度 （ C）温度梯度 26. A 和 A-B 合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向 A 试样方向移动，则 。 （ A） A 组元的扩散速率大于 B 组元 （ B） B 组元的扩散速率大于 A 组元 （ C） A、 B 两组元的扩散速率相同 27. 下述有关自扩散的描述中正确的为 。 A）自扩散系数由浓度梯度引起 B）自扩散又称为化学扩散 C）自扩散系数随温度升高而增加 第 5 章 材料的形变和再结晶 在弹性极限 e 范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为 （ A ）包申格效应 （B ）弹性后效 （ C）弹性滞后 塑性变形产生的滑移面和滑移方向是 A）晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向 B）晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向 C）晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向 bcc、 fcc、 hcp 三种典型晶体结构中， _________具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。 （ A） bcc （ B） fcc （ C） hcp 31. ，位错滑移的派 - 纳力越小。 （ A）位错宽度越大 （ B）滑移方向上的原子间距越大 （ C）相邻位错的距离越大 32. Cottrell 气团理论对应变时效现象的解释是： （ A）溶质原子再扩散到位错周围 （ B）位错增殖的结果 （C） 位错密度降低的结果 33. 已知 Cu 的 T m=1083 C，则 Cu 的最低再结晶温度约为 。 （ A） 200 C （ B） 270 C （ C） 350 C 34. 已知 Fe 的 T m =1538 C，则 Fe 的最低再结晶温度约为 。 （ A） 35